ФТП, 2004, том 38, выпуск 6: page 710...

ФТП, 2004, том 38, выпуск 6

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрик $-$ полупроводник

Л.С.Берман, И.Е.Титков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 28 ноября 2003 г. Принята к печати 3 декабря 2003 г.)

Исследованы структурные дефекты на границе раздела между Pb

_0.95La

_0.05Ti

_0.8Zr

_0.2O

₃ и La

_1.85Sr

_0.15CuO

₄. Использован метод изотермической релаксации тока. Были рассмотрены два случая. а) Толщина дефектного слоя много меньше толщины области объемного заряда. б) Толщина дефектного слоя больше толщины области объемного заряда. Показано, что в исследованных образцах толщина дефектного слоя больше

50-100

Angstrem, а в интервале энергий

E

_v+(0.55-0.65) эВ плотность состояний глубокоуровневых центров порядка

3

· 10²⁰ см

^-3 эВ

^-1, что соответствует плотности поверхностных состояний порядка

2

· 10¹⁴ см

^-2 эВ

^-1. Показано, что плотность состояний глубокоуровневых центров возрастает от границы раздела в глубь полупроводника.

PDF версия (193Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster