Рассчитана предельная квантовая эффективность электролюминесценции в кремниевых диодах и $p-i-n$-структурах при комнатной температуре. Показано, что ее внутренний квантовый выход составляет около 10% и реализуется при оптимальных уровнях легирования $n$- и $p$-областей кремниевого диода $~\; 1015$ и $5$· 10¹⁶ см^-3 соответственно. По мере уменьшения времен жизни Шокли--Рида--Холла для электронов и дырок внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремниевых барьерных структурах резко снижается. Физика процессов, связанных с влиянием экситонов в кремнии, имеет много общего для электролюминесценции, фотолюминесценции и фотопреобразования. Показано, что перспективными для использования в кремниевых интегральных схемах могут быть лишь электролюминесцентные $p-i-n$-структуры.