ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

Т.И.Воронина, Т.С.Лагунова, С.С.Кижаев , С.С.Молчанов, Б.В.Пушный, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 октября 2003 г. Принята к печати 4 ноября 2003 г.)

Получены эпитаксиальные слои InAs, легированные Mg методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, и изучены их электрические свойства. Легирование магнием InAs во время роста методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений позволяет получить сильно компенсированный p-InAs с предельной концентрацией дырок p~ 2· 1018 см-3 и с низкой подвижностью носителей (mu~ 50 см2/В · с при T=300 K). При слабом уровне легирования Mg кристаллизуются слои InAs n-типа проводимости с высокой подвижностью по сравнению с нелегированными слоями n-InAs за счет связывания нейтральных примесей магнием.

 PDF версия (220Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster