ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Обращение волнового фронта на поверхности оптически возбужденного ZnO

А.Н.Грузинцев, В.Т.Волков

Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 10 октября 2003 г. Принята к печати 19 октября 2003 г.)

Теоретически и экспериментально показана возможность обращения светового волнового фронта в возбужденной полупроводниковой среде. На эпитаксиальных пленках ZnO при комнатной температуре при накачке азотным лазером впервые обнаружено обращение света для энергии фотонов, равной половине энергии излучательной рекомбинации экситонов. Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта от его спектрального состава. Предлагается объяснение эффекта: квадратичное взаимодействие световых и экситонных электромагнитных колебаний в полупроводниковой среде.

 PDF версия (169Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster