ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле

Н.И.Бояркина, С.А.Смагулова *

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Якутский государственный университет,
677891 Якутск, Россия

(Получена 24 апреля 2003 г. Принята к печати 15 мая 2003 г.)

Рассмотрена роль кислорода в механизме диссоциации комплекса диуглерода в n-Si на составляющие его компоненты. Предположено, что высвободившиеся межузельные атомы углерода Ci, мигрируя по кристаллу, вступают в реакции с углеродом в узлах решетки кремния Cs и межузельным кислородом Oi с образованием комплексов CiCs и CiOi соответственно. Решения системы уравнений, описывающей образование межузельных атомов углерода в процессе отжига диуглерода, показали, что эффективная константа скорости реакции отжига комплекса CiCs (G-центра) зависит от концентрации кислорода. Эта зависимость трактуется как зависимость энергии активации процесса отжига комплекса CiCs и, следовательно, энергии его диссоциации от концентрации кислорода. Получено более точное значение энергии диссоциации G-центра, равное 1.08±0.03 эВ.

 PDF версия (149Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster