Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Равновесные характеристики и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe : Pb
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 5 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Методом Бриджмена выращены монокристаллы CdTe : Pb с разными концентрациями примеси в растворе: C0Pb=5· 1018, 1019, 5· 1019 см-3. Равновесные характеристики материала определяются глубокими акцепторами с энергией Ev+(0.39±0.02) эВ. Концентрация дырок уменьшается при увеличении количества примеси во всем интервале изменения C0Pb. На спектрах низкотемпературной фотолюминесценции выделяется полоса, обусловленная переходами в донорно-акцепторных парах, а также краевая полоса излучения. При увеличении C0Pb наблюдается резкое увеличение интенсивности полосы, связанной с переходами из зоны проводимости на акцептор, в краевой области, причем максимум бесфононной линии этого излучения сдвигается в коротковолновую сторону. Анализируется возможная природа переходов и динамика изменения спектров фотолюминесценции в зависимости от уровня легирования.
- А.В. Савицкий, О.А. Парфенюк, М.И. Илащук, П.А. Павлин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 25 (11), 1848 (1989)
- В.В. Матлак, М.И. Илащук, О.А. Парфенюк, П.А. Павлин, А.В. Савицкий. ФТП, 11 (12), 2287 (1977)
- О.А. Парфенюк, А.В. Савицкий, П.А. Павлин, А.Л. Альбота. Изв. вузов СССР. Физика, 4, 66(1986)
- O. Panchuk, O. Savitsky, P. Fochuk, Ye. Nykonyuk, O. Parfenyuk, L. Scherbak, M. Ilaschuk, L. Yatsunyk, P. Feychuk. J. Cryst. Growth, 197, 607 (1999)
- А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966). [Пер. с англ.: A. Rose. Concepts in Photoconductivity and Allied Problems (N.Y.--London, 1963)]
- K. Shcherbin, S. Odulov, F. Ramaz, B. Farid, B. Briat, H.J. Bardeleben, I. Rarenko, Z. Zakharuk, O. Panchuk, P. Fochuk. Optics and Optoelectronics, v. 2. Theory Devices and Applications (Publishing House Narosa, Dehradun, India, 1998)
- A.V. Savitsky, O.A. Parfenyuk, M.I. Ilashchuk, P.M. Fochuk, N.D. Korbutyak. Semicond. Sci. Technol., 15, 263 (2000)
- Ж.Р. Паносян. Тр. ФИАН, 68, 147 (1973)
- D.M. Eagles. J. Phys. Chem. Sol., 16, 75 (1960)
- G. Fonthal, L. Tirado-Mejia, J.I. Marin-Hurtado, H. Ariaza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. J. Phys. Chem. Sol., 61 (4), 579 (2000)
- Л.П. Щербак, Е.С. Никонюк, О.Э. Панчук, А.В. Савицкий, П.И. Фейчук, В.В. Матлак. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 13, 415 (1977)
- P. Feichuk, L. Shcherbak, D. Pluta, P. Moravec, J. Franc, E. Belas, P. Hoschl. Proc. SPIE, 3182, 100 (1997)
- Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969). [Пер. с англ.: F.A. Kroger. The Chemistry of Imperfect Crystals (Amsterdam, 1964)]
- K.R. Zanio. Semiconductors and Semimetals. Cadmium Telluride (N.Y.--San Francisco--London, Academic Press, 1978) v. 13, p. 235
- M. Somimi, B. Biglari, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert. Phys. St. Sol. (a), 100, 251 (1987)
- P. Rudolph, M. Muhlberg, M. Neubert, T. Boeck, P. Mock, L. Parthier, K. Jacobs. J. Cryst. Growth, 118, 204 (1992)
- Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 5, 869 (1971)
- M.R. Loreuz, B. Segall. Phys. Lett., 7, 18 (1963)
- Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП, 5, 863 (1971)
- P. Gorley, J. Vorobiev, V. Makhniy, O. Parfenyuk, M. Ilashchuk, J. Gonzalez-Hernandez, P. Horley. Mater. Sci. Eng., in press (2003)
- Е.С. Никонюк, О.А. Парфенюк, В.В. Матлак, К.Д. Товстюк, А.В. Савицкий. ФТП, 9 (7), 1271 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
