На примере регистрации и спектрометрии $$alpha-частиц исследованы характеристики детекторов на основе объемного полуизолирующего GaAs ($SI$-GaAs). Их отличительной особенностью является зависимость ширины области электрического поля ($W$) от величины обратного напряжения ($U$). Темп роста $W(U)$ составляет $~\; 1$ мкм/В, что в принципе позволяет развивать рабочую зону порядка миллиметров. Препятствием приложения $U$ порядка киловольт являются возникающие шумы обратного тока. В работе сопоставлены характеристики диодных структур, в которых выпрямляющий барьер к $SI$-GaAs создавался напылением металлов (диоды Шоттки) и выращиванием гетеропереходов с сильно легированными эпитаксиальными слоями (использовались соединения AlGaAs и GaAsSb). В эпитаксиальных гетероструктурах, для которых оказалось возможным прикладывать напряжения более 1 кВ, установлены особенности переноса неравновесных носителей как в слабых (менее  кВ/см), так и сильных ($10-30$ кВ/см) электрических полях. В обоих случаях для времени жизни носителей получены значения порядка наносекунд, определяемые высокой концентрацией центров захвата (структурных дефектов типа $EL2$), что ограничивает перенос носителей. Из анализа формы спектральной линии выявлена высокая однородность значений времени жизни по объему детектора. В полях $~\; 30$ кВ/см обнаружено усиление внесенного частицей заряда. Эффект качественно объясняется фокусировкой силовых линий электрического поля на вершине трека $$alpha-частицы, возрастанием локальной напряженности поля до $~\; 105$ В/см и ударной ионизацией неравновесных электронов.