ФТП, 2004, том 38, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Емкостные исследования электронных ловушек в низкотемпературном арсениде галлия

П.Н.Брунков, А.А.Гуткин, А.К.Моисеенко, Ю.Г.Мусихин, В.В.Чалдышев, Н.Н.Черкашин,
С.Г.Конников, В.В.Преображенский *, М.А.Путято *, Б.Р.Семягин *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 8 сентября 2003 г. Принята к печати 10 сентября 2003 г.)

Проведено исследование электронных ловушек в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200-300oC (LT-GaAs). Для этого использовалась емкостная спектроскопия глубоких уровней в барьерах Шоттки на n-GaAs, область объемного заряда которых содержала встроенный слой LT-GaAs толщиной ~0.1 мкм. Размер кластеров мышьяка, образующихся в LT-GaAs в результате отжига при 580oC, варьировался за счет изменения температуры роста. Обнаружено, что в слоях LT-GaAs, выращенных при 200oC и содержащих кластеры мышьяка диаметром 6-8 нм, появляются два новых типа электронных ловушек с энергиями активации термической эмиссии электронов 0.47 и 0.59 эВ и концентрацией ~1017 см-3, что сравнимо с концентрацией кластеров мышьяка, определенной с помощью просвечивающей электронной микроскопии. В слоях LT-GaAs, выращенных при 300oC, в которых кластеры мышьяка не наблюдались, обнаружены ловушки с энергией активации 0.61 эВ. Обсуждается связь этих электронных уровней с системой кластеров As и точечных дефектов в LT-GaAs.

 PDF версия (316Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster