ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Низкотемпературная релаксация упругих напряжений в SiGe / Si-гетероструктурах, облученных ионами Ge+

В.С.Аврутин, Ю.А.Агафонов, А.Ф.Вяткин , В.И.Зиненко, Н.Ф.Изюмская,
Д.В.Иржак, Д.В.Рощупкин, Э.А.Штейнман *, В.И.Вдовин $, Т.Г.Югова $$

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
* Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
$ Институт химических проблем микроэлектроники Российской академии наук,
117571 Москва, Россия
$$ Гиредмет,
119017 Москва, Россия

(Получена 18 июня 2003 г. Принята к печати 1 июля 2003 г.)

Псевдоморфные гетероструктуры Si0.76Ge0.24 / Si, изготовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучали ионами Ge+ с энергией 350 кэВ при температуре 400oC таким образом, чтобы пик энергетических потерь ионов находился в кремниевой подложке, ниже границы раздела SiGe / Si. Изучалось влияние ионной имплантации на релаксацию упругих напряжений и дефектную структуру, образующуюся в результате постимплантационных отжигов. Обнаружено, что отжиг уже при температуре 600oC позволяет получить очень выскокую степень релаксации упругих напряжений в гетероструктуре при низкой плотности прорастающих дислокаций в слое SiGe (<105 см-2). Полученные результаты позволяют предложить метод изготовления тонких слоев SiGe на Si с высокой степенью релаксации, низкой плотностью прорастающих дислокаций и хорошей морфологией поверхности.

 PDF версия (614Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster