ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Диффузия хрома в арсениде галлия

С.С.Хлудков , О.Б.Корецкая, А.В.Тяжев

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия

(Получена 3 марта 2003 г. Принята к печати 25 июня 2003 г.)

Исследована диффузия хрома в GaAs по данным измерения толщины высокоомных слоев, возникающих в процессе диффузии глубокого акцептора хрома в n-GaAs. Определена зависимость коэффициента диффузии хрома в GaAs от температуры, давления паров мышьяка, типа проводимости и концентрации носителей заряда. Температурная зависимость коэффициента диффузии описывается уравнением Аррениуса с параметрами: D0=8·109 см2/с, E=4.9 эВ, зависимость от давления паров мышьяка --- выражением: D прапорционально PAs4-m, где m~0.4. Полученные экспериментальные результаты интерпретируются с позиций диссоциативного механизма миграции атомов хрома в GaAs.

 PDF версия (124Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster