ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге

М.В.Ардышев , В.М.Ардышев, Ю.Ю.Крючков *

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова
при Томском государственном университете,
634050 Томск, Россия
* Томский политехнический университет,
634050 Томск, Россия

(Получена 16 мая 2003 г. Принята к печати 3 июня 2003 г.)

Методами вольт-фарадных характеристик и резерфордовского обратного рассеяния исследованы диффузионные параметры кремния 28Si при диффузии из предварительно созданных n-слоев в полуизолирующий GaAs при \glqq электронном\grqq и термическом отжигах. Слои были легированы серой или кремнием. Отмечается, что степень активации 28Si и коэффициент диффузии зависят от лигатуры, используемой при формировании n-слоя, и от режима имплантации (непрерывный или частотно-импульсный с длительностью импульса 1.3· 10-2 с и скважностью 100).

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster