ФТП, 2004, том 38, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Адсорбция сольватированных гидросульфид-ионов на поверхность GaAs(100): роль растворителя при модификации структуры поверхности

М.В.Лебедев , Th.Mayer *, W.Jaegermann *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* TU-Darmstadt, FB Material- und Geowissenschaften, FG Oberflachenforschung,
64287 Darmstadt, Germany

(Получена 2 июня 2003 г. Принята к печати 3 июня 2003 г.)

Методами фотоэмиссионной спектроскопии исследовалась адсорбция сольватированных различными амфипротонными растворителями (вода, спирты) гидросульфид-ионов HS- на свободную от окислов поверхность GaAs(100). Адсорбция проводилась из растворов сульфида аммония в инертной атмосфере, не содержащей кислорода. Было показано, что химический сдвиг компоненты, обусловленной формирующимися связями As--S относительно объемной As--Ga составляющей фотоэлектронного спектра возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя, свидетельствуя о возрастании степени ионности связей As--S. Энергия ионизации полупроводника после адсорбции также зависит от растворителя, из которого производилась адсорбция, причем эта зависимость сохраняется и после отжига поверхности и исчезновения связей As--S, что указывает на влияние растворителя на атомную структуру поверхности. Установлено, что растворитель, сольватируя ион, модифицирует его химические свойства и реакционную способность, что приводит к изменению механизма взаимодействия ионов с поверхностными атомами полупроводника.

 PDF версия (562Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster