ФТП, 2003, том 37, выпуск 12
ФТП, 2003, том 37, выпуск 12
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Перераспределение иттербия и кислорода при отжиге аморфизованных имплантацией слоев кремния
О.В.Александров, Ю.А.Николаев, Н.А.Соболев, R.Asomoza,
Yu.Kudriavtsev, A.Villegas, A.Godines
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет,
197376 Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Seccion de Electronica del Estado Solido, Cinvestav-IPN,
Av. IPN \# 2508 Mexico D.F.
(Получена 29 апреля 2003 г. Принята к печати 30 апреля 2003 г.)
| Исследовано перераспределение иттербия и кислорода в слоях кремния, имплантированных ионами Yb с энергией 1 МэВ и дозой см, превышающей порог аморфизации, а также ионами O с энергией 135 кэВ и дозой см, после отжигов при 620 и C. Перераспределение Yb обусловлено сегрегацией на границе между аморфным и монокристаллическим слоями при твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации скрытого аморфизованного слоя. Перераспределение кислорода и его накопление в областях с максимальной концентрацией Yb связано с диффузией кислорода и образованием комплексов YbO с , изменяющимся от 1 до 6. Определены параметры зависимости коэффициента сегрегации Yb от толщины перекристаллизационного слоя и параметры образования YbO-комплексов. |
| PDF версия (270Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |