ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами

С.И.Борисенко

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,
634050 Томск, Россия

(Получена 11 ноября 2002 г. Принята к печати 19 декабря 2002 г.)

Решается задача о расчете продольной и поперечной подвижности, ограниченной рассеянием на ионах примеси, для электронов сверхрешетки с легированными квантовыми ямами. Рассматривается случай низких температур и малых концентраций носителей заряда. При решении уравнения Больцмана для невырожденного электронного газа в области слабой экранировки кулоновского потенциала ионов примеси используется гипотеза Конуэлл--Вайскопфа о минимальном угле рассеяния. Численные расчеты проведены для симметричной сверхрешетки GaAs/Al0.36Ga0.64As с периодом 10 нм и концентрацией электронов 1014 см-3 при T=20 K.

 PDF версия (198Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster