ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Зависимость энергии активации A(+)-центров от ширины квантовых ям в структурах GaAs/AlGaAs

Ю.Л.Иванов, П.В.Петров, А.А.Тонких, Г.Э.Цырлин, В.М.Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 декабря 2002 г. Принята к печати 17 декабря 2002 г.)

Проведены люминесцентные измерения структур с несколькими квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими A(+)-центры, при разных ширинах квантовых ям с целью определения зависимости энергии активации A(+)-центров от ширины квантовых ям. Показано, что с уменьшением ширины ям энергия активации A(+)-центров значительно возрастает, причем в ямах шириной 10 нм энергия активации в 10 раз больше, чем в объемном материале. Замечено, что энергия активации A(+)-центров зависит от их концентрации.

 PDF версия (173Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster