Исследованы оптические и структурные своqства твердых растворов InGaAsP, выращенных при температуре $600o$C на подложках GaAs(001) способом МОС-гидридной эпитаксии. Слои твердых растворов InGaAsP, соответствующих по составу области несмешиваемости, содержат в спектрах фотолюминесценции две полосы: основную и дополнительную. Установлено, что обе полосы обусловлены межзонными излучательными переходами, т. е. внутри слоя находятся два твердых раствора с разными составами и запрещенными зонами. Показано, что смещение максимума дополнительной полосы в сторону высоких энергий при увеличении уровня возбуждения вызвано квантовыми размерами доменов соответствующего состава. Данный вывод согласуется с результатами просвечивающей электронной микроскопии, изучение изображений таких образцов обнаружило в них наличие периодической структуры, состоящей из чередующихся доменов с разным составом твердого раствора. Чередование доменов распространяется вдоль направлений [100] и [010] с характерным периодом 10 нм.