ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние электронного облучения на оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния

А.Г.Казанский , П.А.Форш, К.Ю.Хабарова, М.В.Чукичев

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия

(Получена 10 января 2003 г. Принята к печати 21 января 2003 г.)

Исследовано влияние облучения электронами с энергией 40 кэВ на спектральную зависимость коэффициента поглощения, проводимость и фотопроводимость пленок mu c-Si : H. Обнаружено увеличение коэффициента поглощения в \glqq дефектной области\grqq спектра (hnu<1.2 эВ) и уменьшение фотопроводимости пленок mu c-Si : H после их облучения. Исходные параметры восстанавливаются после отжига пленок в течение 1 ч при температуре 180oC. Предположено, что наблюдаемые изменения связаны с образованием в пленках mu c-Si : H в результате облучения электронами метастабильных дефектов типа оборванных связей на границах колонн микрокристаллов. Получена обратно пропорциональная зависимость между величиной фотопроводимости и концентрацией дефектов, возникающих под действием облучения пленок mu c-Si : H электронами.

 PDF версия (178Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster