ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Межзонное поглощение света в полупроводниковых наноструктурах

С.И.Покутний

Ильичевский учебно-научный центр Одесского национального университета им. И.И. Мечникова,
68001 Ильичевск, Украина

(Получена 18 ноября 2002 г. Принята к печати 25 ноября 2002 г.)

В рамках дипольного приближения теоретически изучено межзонное поглощение света в малом полупроводником микрокристалле. Получено выражение для коэффициента поглощения света в условиях, когда поляризационное взаимодействие электрона и дырки с поверхностью микрокристалла играет доминирующую роль. Показано, что учет поляризационного взаимодействия электрона и дырки с поверхностью микрокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в микрокристалле в коротковолновую сторону. Установлено, что край поглощения малых микрокристаллов формируется двумя сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона.

 PDF версия (94Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster