ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение абсолютной величины поверхностного потенциала полупроводника по квазистатическим вольт-фарадным характеристикам МДП структуры

А.Г.Ждан, Н.Ф.Кухарская, Г.В.Чучева

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141190 Фрязино, Россия

(Получена 5 августа 2002 г. Принята к печати 3 ноября 2002 г.)

Совместный анализ производных C'V(Vg) экспериментальной и идеальной квазистатических вольт-фарадных характеристик, представленных в зависимости от нормированной дифференциальной емкости МДП структуры VV(Vg), позволяет идентифицировать в пределах энергетической щели полупроводника Eg области, в которых практически отсутствуют пограничные состояния и в которых легко установить связь между поверхностным потенциалом psiS реального полупроводника и приложенным к МДП структуре напряжением Vg. Это позволяет достаточно точно определять аддитивные постоянные psiS0(Vg0), необходимые для расчета зависимости psiS(Vg) во всем диапазоне изменений Vg путем численного интегрирования экспериментальной квазистатистической вольт-фарадной характеристики. Сопоставление этой зависимости с идеальной детально характеризует интегральные электронные свойства гетерограницы полупроводник--диэлектрик: усредненную по Eg плотность пограничных состояний, качественный характер их распределения по ширине щели, напряжение плоских зон VFB и его компоненты, обусловленные фиксированным зарядом в подзатворном диэлектрике и зарядом, локализованным на пограничных состояниях. Высокая точность регистрации VFB обеспечивает обнаружение даже слабого \glqq физического\grqq отклика МДП структур на внешние воздействия или на вариации технологии формирования гетерограницы. Приводятся результаты такого рода анализа для типичной гетерограницы SiO2/Si n-Si-МОП структуры. Отмечается перспективность применения диаграмм C'V-\kern0.5ptCV для анализа высокочастотных вольт-фарадных характеристик.

 PDF версия (218Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster