Изучалась динамика отражения зондирующего пучка с длиной волны $$lambda=0.63 мкм от кремния, аморфизованного ионной имплантацией, ($a$-Si) при инициировании в нем процессов плавления и отвердевания воздействием эксимерного ArF-лазера. Установлено, что однократное плавление $a$-Si при энергиях ниже эпитаксиального порога не приводит к формированию поликристалла, но инициирует образование в аморфной матрице удаленных друг от друга нанокристаллов. Их присутствие обусловливает формирование поликристаллической структуры из расплава под действием второго лазерного импульса и возможность промежуточной кристаллизации Si в лазерно-индуцированной последовательности фазовых переходов. Проведено сравнение полученных данных с результатами изучения в аналогичных экспериментальных условиях фазовых превращений, инициируемых в тонких слоях гидрогенизированного $a$-Si на стеклянных подложках.