ФТП, 2003, том 37, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Структурные и оптические свойства квантовых точек InAs в матрице AlGaAs

Д.С.Сизов, Ю.Б.Самсоненко, Г.Э.Цырлин, Н.К.Поляков, В.А.Егоров, А.А.Тонких, А.Е.Жуков,
С.С.Михрин, А.П.Васильев, Ю.Г.Мусихин, А.Ф.Цацульников, В.М.Устинов, Н.Н.Леденцов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 25 июня 2002 г. Принята к печати 28 июня 2002 г.)

Исследовались структурные и оптические свойства квантовых точек InAs в широкозонной матрице Al0.3Ga0.7As. Показано, что глубокая локализация носителей, достигаемая благодаря использованию более широкозонной по сравнению с GaAs матрицы, позволяет получать структуры с высокой температурной стабильностью оптических свойств. Исследованы особенности формирования квантовых точек при различных количествах осажденного InAs. Показано, что при увеличении эффективной толщины InAs, осажденного в Al0.3Ga0.7As, наблюдается монотонный сдвиг максимума излучения вплоть до длины волн ~1.18 мкм при комнатной температуре, что позволяет достичь энергии локализации экситона, существенно превышающей аналогичное значение для квантовых точек в матрице GaAs. С целью получения максимальной энергии локализации исследовалось влияние заращивания слоя квантовых точек слоем InGaAs. Показана возможность достижения длины волны излучения ~1.3 мкм.

 PDF версия (381Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster