Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные и оптические свойства квантовых точек InAs в матрице AlGaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Исследовались структурные и оптические свойства квантовых точек InAs в широкозонной матрице Al0.3Ga0.7As. Показано, что глубокая локализация носителей, достигаемая благодаря использованию более широкозонной по сравнению с GaAs матрицы, позволяет получать структуры с высокой температурной стабильностью оптических свойств. Исследованы особенности формирования квантовых точек при различных количествах осажденного InAs. Показано, что при увеличении эффективной толщины InAs, осажденного в Al0.3Ga0.7As, наблюдается монотонный сдвиг максимума излучения вплоть до длины волн ~1.18 мкм при комнатной температуре, что позволяет достичь энергии локализации экситона, существенно превышающей аналогичное значение для квантовых точек в матрице GaAs. С целью получения максимальной энергии локализации исследовалось влияние заращивания слоя квантовых точек слоем InGaAs. Показана возможность достижения длины волны излучения ~1.3 мкм.
- Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 1982 (1982)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
- J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 36, 1384 (2000)
- С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алферов. ФТП, 26, 1400 (2002)
- M.V. Maximov, L.V. Asryan, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledenstov, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37, 676 (2001)
- Б.В. Воловик, Д.С. Сизов, А.Ф. Цацульников, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Егоров, В.Н. Петров, Н.К. Поляков, Г.Э. Цырлин. ФТП, 34, 1368 (2000)
- K. Kokie, H. Ohkawa, M. Yano. J. Appl. Phys., 38, L417 (1999)
- Y.S. Kim, U.H. Lee, D. Lee, S.J. Rhee, Y.A. Leem, H.S. Ko, D.H. Kim, J.C. Woo. J. Appl. Phys., 87, 241 (2000)
- M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
- Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, Н.В. Крыжановская, А.Б. Жуков. Н.А. Малеев, С.С. Михрин, А.П. Васильев, Р. Селин, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. ФТП, 36, 1097 (2002)
- V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)
- A.F. Tsatsul'nikov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, Yu.M. Shernyakov, Yu.G. Musikhin, V.M. Ustinov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A.M. Mintairov, J.L. Merz, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. J. Appl. Phys., 88, 6272 (2000)
- J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 66, 196 (1994)
- R. Heitz, T.R. Ramachandran, A. Kalburge, Q. Xie, I. Mukhametzhanov, P. Chen, A. Madhuar. Phys. Rev. Lett., 78, 4071 (1997)
- M. Krjin. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
