ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением

И.Е.Тысченко, А.Б.Талочкин, А.Г.Черков, К.С.Журавлев, А.Мисюк *, М.Фельсков +, В.Скорупа +

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Институт электронной технологии,
02-668 Варшава, Польша
+ Институт ионно-лучевой физики и материаловедения, Исследовательский центр Росседорф,
Д-01314 Дрезден, Германия

(Получена 22 июля 2002 г. Принята к печати 6 сентября 2002 г.)

Изучено влияние гидростатического сжатия на процессы ионного синтеза нанокристаллов германия в SiO2. Обнаружено замедление диффузии атомов Ge в SiO2 при высокотемпературном отжиге под давлением. Показано, что при обычном отжиге формируются ненапряженные нанокристаллы Ge. Отжиг под давлением сопровождается формированием гидростатически напряженных нанокристаллов Ge. По сдвигу частоты оптических фононов в спектрах комбинационного рассеяния света определена величина деформации нанокристаллов Ge. Наблюдаемый в нанокристаллах сдвиг энергии резонанса комбинационного рассеяния света E1, E1+Delta1 соответствует квантованию энергии основного состояния двумерного экситона критической точки германия M1. Установлено, что полоса фотолюминесценции 520 нм формируется лишь в спектрах пленок, содержащих напряженные нанокристаллы Ge.

 PDF версия (283Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster