Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности формирования и характеристики диодов Шоттки Ni/21R-SiC

Литвинов В.Л.¹, Демаков К.Д.¹, Агеев О.А.², Светличный А.М.², Конакова Р.В.¹, Литвин П.М.³, Литвин О.С.³, Миленин В.В.³

¹Научно-исследовательский центр Института информационных технологий "Институт им. Курчатова", Москва, Россия
²Таганрогский государственный радио-технический университет, ГСП-17А Таганрог, Россия
³Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 10 сентября 2002 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

До и после быстрого термического отжига в вакууме (10^-2 Па) в интервале температур 450-1100^oC исследованы поверхностно-барьерные структуры Ni/n-21R-SiC (0001) и Ni/n-21R-SiC (0001), сформированные на монокристаллах 21R-SiC, выращенных методом Лели с концентрацией легирующей примеси (1-2)· 10¹⁸ см^-3. Методами рентгеновской дифракции и оже-анализа показано, что в исходных образцах наряду с чистым никелем гексагональной модификации наблюдаются силициды никеля NiSi₂ кубической модификации, и delta-Ni₂Si, NiSi ромбической модификации. Быстрый термический отжиг приводит к полиморфным превращениям этих фаз, обусловливающим уже при T>~= 600^o трансформацию барьерного контакта в омический независимо от типа грани карбида кремния. Обсуждаются физические механизмы деградации этих барьерных структур.

R.J. Trew, Jing-Bang Tan, P.M. Mock. Proc IEEE, 79 (5), 598 (1991)
P.A. Ivanov, V.E. Chelnokov. Semicon. Sci. Technol., 7, 863 (1992)
П.А. Иванов, В.Е. Челноков. ФТП, 29 (11), 1921 (1995)
А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33 (9), 1096 (1999)
А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалова. ФТП, 29 (10), 1833 (1995)
А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, В.В. Зеленин, М.Л. Корогодский. ФТП, 33 (8), 959 (1999)
С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров. ФТП, 35 (12), 1437 (2001)
L.M. Poter, R.F. Davis. Mater. Sci. Eng., B34, 83 (1995)
B. Pecz. Appl. Surf. Sci., 153, 1 (2001)
S.Y. Han, K.H. Kim, J.K. Kim, H.W. Jang, K.H. Lee, N.-K. Kim, E.D. Kim, J.-L. Lee. Appl. Phys. Lett., 79 (12), 1816 (2001)
A. Kokanakova--Georgieva, Ts. Marinova, O. Noblanc, C. Arnodo, S. Cassette, C. Brylinski. Thin Sol. Films, 343-- 344, 637 (1999)
В.И. Стриха, Е.В. Бузанева. Физические основы надежности контактов металл--полупроводник в интегральной электронике (М., Радио и связь, 1987)
Е.Ф. Венгер, Р.В. Конакова, Г.С. Короченков, В.В. Меленин, Э.В. Руссу, И.В. Прокопенко. Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл--InP и металл--GaAs (Киев, КТНК, 1999)
M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev, A.A. Petrov, A.I. Babinin, M.A. Yagovkina, I.P. Nikitina. Mater. Sci. Eng., B46, 254 (1997)
H.S. Lee, S.-W. Lee, D.H. Shin, H.-C. Park, W. Jung. J. Korean Phys. Sci., 34 (6), s 558 (1999)
Д.А. Сеченов, А.М. Светличный. Электронная промышленность, N 3, 6 (1991)
V.L. Litvinov, K.D. Demakov, O.A. Ageev, O.M. Svetlichny, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin. Abstr. IV Int. Seminar on Silicon Carbide and Related Materials (May 30--31, 2002, Novgorod the Great, Russia) p. 67
Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник, пер. с англ. под ред. Г.В. Степанова (М., Радио и связь, 1982)
A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
F.A. Padovani, R. Stattion. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
K. Varahramyan, E.J. Verret. Sol. St. Electron., 39 (11), 1601 (1996)
O.A. Ageev, D.A. Sechenov, A.M. Svetlichnyi, D.A. Izotovs. Abstr. IV Int. Seminar on Silicon Carbide and Related Materials (May 30--31, 2002, Novgorod the Great, Russia) p. 67
С.Б. Кущев. Автореф. докт. дис. (ВГТУ, 2000)
А.Е. Гершинский, А.В. Ржанов, Е.И. Черепов. Микроэлектроника, 11 (2), 83 (1982)
Ш. Мьюрарка. Силициды для СБИС, пер. с англ. под ред. Ю.Д. Чистякова (М., Мир, 1986)
О.М. Барабаш, Ю.Н. Коваль. Кристаллическая структура металлов и сплавов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель