ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности формирования и характеристики диодов Шоттки Ni/21R-SiC

В.Л.Литвинов, К.Д.Демаков, О.А.Агеев*, А.М.Светличный*, Р.В.Конакова,
П.М.Литвин+, О.С.Литвин+, В.В.Миленин+

Научно-исследовательский центр Института информационных технологий \glqq Институт им. Курчатова\grqq,
123182 Москва, Россия
* Таганрогский государственный радио-технический университет,
ГСП-17А Таганрог, Россия
+ Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина

(Получена 10 сентября 2002 г. Принята к печати 4 октября 2002 г.)

До и после быстрого термического отжига в вакууме (10-2 Па) в интервале температур 450--1100oC исследованы поверхностно-барьерные структуры Ni/n-21R-SiC (0001) и Ni/n-21R-SiC (0001), сформированные на монокристаллах 21R-SiC, выращенных методом Лели с концентрацией легирующей примеси (1-2)· 1018 см-3. Методами рентгеновской дифракции и оже-анализа показано, что в исходных образцах наряду с чистым никелем гексагональной модификации наблюдаются силициды никеля NiSi2 кубической модификации, и delta-Ni2Si, NiSi ромбической модификации. Быстрый термический отжиг приводит к полиморфным превращениям этих фаз, обусловливающим уже при T>~= 600o трансформацию барьерного контакта в омический независимо от типа грани карбида кремния. Обсуждаются физические механизмы деградации этих барьерных структур.

 PDF версия (1.3Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster