ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Генерационно-рекомбинационные центры в CdTe : V

Л.А.Косяченко, С.Ю.Паранчич, Ю.В.Танасюк, В.М.Склярчук,
Е.Ф.Склярчук, Е.Л.Маслянчук, В.В.Мотущук

Черновицкий национальный университет,
58012 Черновцы, Украина

(Получена 6 сентября 2002 г. Принята к печати 4 октября 2002 г.)

Исследованы генерационно-рекомбинационные токи в поверхностно-барьерных структурах на основе CdTe, легированного ванадием. Найдена глубина залегания и сечение захвата уровней, ответственных за эффективную генерацию--рекомбинацию в используемых монокристаллах.

 PDF версия (174Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster