ФТП, 2003, том 37, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние импульсного лазерного излучения на морфологию и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb

В.А.Гнатюк*, Е.С.Городниченко

Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко,
01033 Киев, Украина
* Research Institute of Electronics, Shizuoka University
432-8011 Hamamatsu, Japan

(Получена 10 сентября 2002 г. Принята к печати 11 сентября 2002 г.)

Изучается влияние наносекундных импульсов излучения рубинового лазера на морфологию поверхности и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb. Установлено значение пороговой плотности энергии 0.14 Дж/см2, при котором начинается плавление поверхности кристаллов. Анализируется модификация спектров и вида кинетики фотопроводимости образцов после облучения. Показано, что обработка InSb импульсами рубинового лазера в определенном диапазоне плотности энергии приводит к уменьшению скорости поверхностной рекомбинации, росту времени жизни неравновесных носителей и, как следствие, к увеличению фоточувствительности кристаллов.

 PDF версия (302Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster