ФТП, 2003, том 37, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Туннельная эмиссия электронов в фотополевых детекторах и в оже-транзисторе в сверхсильных электрических полях

В.Д.Калганов *, Н.В.Милешкина *, Е.В.Остроумова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики,
198904 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 8 июля 2002 г. Принята к печати 22 июля 2002 г.)

Исследовалось влияние сильного электрического поля, (5-7)· 107 B/см, на эмиссию электронов из полупроводника в вакуум в полевых фотодетекторах и в структурах металл--диэлектрик--полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика в оже-транзисторе Al--SiO2--n-Si. Впервые показано, что существование глубоких самосогласованных квантовых колодцев на поверхности полупроводника в сильном электрическом поле позволяет управлять энергией быстрых электронов, участвующих в ударной ионизации вблизи базы оже-транзистора и изменяет фоточувствительность узкозонных полевых фотокатодов в инфракрасной области спектра за счет образования транзисторной структуры на границе полупроводник--вакуум. Показано также, что и в полевых фотодетекторах, и в туннельных транзисторных структурах Al--SiO2--n-Si нужно учитывать только туннельный ток электронов и не учитывать ток дырок, поскольку в вакууме существует только ток электронов, а в структуре Al--SiO2--n-Si туннелирование дырок из полупроводника в металл маловероятно из-за большой эффективной массы дырок в валентной зоне SiO2.

 PDF версия (143Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster