Вышедшие номера
Туннельная эмиссия электронов в фотополевых детекторах и в оже-транзисторе в сверхсильных электрических полях
Калганов В.Д.1, Милешкина Н.В.1, Остроумова Е.В.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Исследовалось влияние сильного электрического поля, (5-7)· 107 B/см, на эмиссию электронов из полупроводника в вакуум в полевых фотодетекторах и в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика в оже-транзисторе Al-SiO2-n-Si. Впервые показано, что существование глубоких самосогласованных квантовых колодцев на поверхности полупроводника в сильном электрическом поле позволяет управлять энергией быстрых электронов, участвующих в ударной ионизации вблизи базы оже-транзистора и изменяет фоточувствительность узкозонных полевых фотокатодов в инфракрасной области спектра за счет образования транзисторной структуры на границе полупроводник-вакуум. Показано также, что и в полевых фотодетекторах, и в туннельных транзисторных структурах Al-SiO2-n-Si нужно учитывать только туннельный ток электронов и не учитывать ток дырок, поскольку в вакууме существует только ток электронов, а в структуре Al-SiO2-n-Si туннелирование дырок из полупроводника в металл маловероятно из-за большой эффективной массы дырок в валентной зоне SiO2.