Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Туннельная эмиссия электронов в фотополевых детекторах и в оже-транзисторе в сверхсильных электрических полях
Калганов В.Д.1, Милешкина Н.В.1, Остроумова Е.В.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.
Исследовалось влияние сильного электрического поля, (5-7)· 107 B/см, на эмиссию электронов из полупроводника в вакуум в полевых фотодетекторах и в структурах металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика в оже-транзисторе Al-SiO2-n-Si. Впервые показано, что существование глубоких самосогласованных квантовых колодцев на поверхности полупроводника в сильном электрическом поле позволяет управлять энергией быстрых электронов, участвующих в ударной ионизации вблизи базы оже-транзистора и изменяет фоточувствительность узкозонных полевых фотокатодов в инфракрасной области спектра за счет образования транзисторной структуры на границе полупроводник-вакуум. Показано также, что и в полевых фотодетекторах, и в туннельных транзисторных структурах Al-SiO2-n-Si нужно учитывать только туннельный ток электронов и не учитывать ток дырок, поскольку в вакууме существует только ток электронов, а в структуре Al-SiO2-n-Si туннелирование дырок из полупроводника в металл маловероятно из-за большой эффективной массы дырок в валентной зоне SiO2.
- A.A. Rogachev, V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, E.V. Ostroumova. Microelectronics J., 31, 905 (2000)
- T. Deck, V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, A. Moscardini, E.V. Ostroumova. Phys. Low-Dim. Struct., N 11/12, 147 (2000)
- D.R. Schreder, R.N. Thomas. IEEE Trans., 21, 785 (1974)
- Ненакаливаемые катоды, под ред. М. Елинсона (М., Сов. радио, 1974)
- T. Deck, V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, A. Moscardini. Phys. Low-Dim. Struct., N 5/6, 9 (2001)
- Р. Фишер, Х. Нойман. Автоэлектронная эмиссия полупроводников (М., Наука, 1971) гл. 4
- И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17 (7), 44 (1991) [Sov. Tech. Phys. Lett., 17 (7), 476 (1991)]
- Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28 (8), 1411 (1994) [Semiconductors, 28 (8), 793 (1994)]
- E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. Microelectronics J., 29, 701 (1998)
- E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. In: Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices: Towards an Atomic-Scale Understanding [NATO Sci. Ser. 3. High Technology (Kluwer Academic Publishers in cooperation with NATO Scientific Affairs Division, Dordrecht--Boston--London, 1998) v. 47, p. 383]
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир 1975) с. 45 [A.G. Milns, J.J. Feucht. Heterojunctions and Metal--Semiconductor Junctions (N. Y., Academic Press, 1972)]
- Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП 33 (9), 1126 (1999) [Semiconductors, 33 (9), 1027 (1999)]
- E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. Appl. Surf. Sci., 166, 480 (2000)
- S.N. Goncharov, V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, A.I. Priloutsky, P.G. Shlyahtenko. Phys. Low-Dim. Struct., N 9/10, 143 (2001)
- V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, E.V. Ostroumova. Proc. 10th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 2002) p. 357
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
