"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Николай Алексеевич Пенин к 100-летию со дня рождения
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

[!t] Пенин Николай Алексеевич --- доктор физико-математических наук, профессор, видный специалист в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Им получены результаты первостепенного научного и практического значения. Многие его работы легли в основу промышленного развития полупроводниковой электроники в СССР. Н. А. Пенин родился 26 апреля 1912 г. в селе Кушелово Лотошинского района Московской области. Еще будучи учеником 7-летней школы он заинтересовался радиотехникой, мастерил детекторные приемники, включая радиоприемник О. В. Лосева с усиливающим кристаллом --- "кристадином". "Взрослую" научно-техническую и инженерную деятельность он начал на Московском электроламповом заводе (1930-1934 гг.), где работал по окончании Московского техникума электропромышленности им. Л. Б. Красина. Непосредственно участвовал в разработке и изготовлении сигнальных неоновых ламп и трубок для аэродромных маяков и рекламных целей. Конструировал и изготавливал фотоэлементы и фотоэлектронные умножители для звукового кино. Первый звуковой кинофильм "Путевка в жизнь" демонстрировался с использованием изготовленных им серно-калиевых фотоэлементов. Сконструировал и изготовил неоновые лампы с равномерно светящимся экраном, использовавшиеся для получения изображения при приеме телевизионного сигнала. В 1934-1939 гг. Н. А. Пенин учился на Физическом факультете Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова (МГУ), после окончания которого работал научным сотрудником в Научно-исследовательском кино-фото институте, где по предложению академика А.Ф. Иоффе участвовал в разработке селеновых выпрямителей для кино- и оборонной техники. Он разработал методику очистки и легирования селена, а также более совершенную технологию изготовления селеновых выпрямителей, основанную на осаждении паров серы на поверхность селенового слоя. В конце 1945 г. Николай Алексеевич перешел в Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт (ЦНИРТИ), тогда ЦНИИ-108 Министерства обороны. Здесь первым в нашей стране получил очищенный, а затем монокристаллический и легированный мелкой примесью (сурьмой) германий (1948 г.). В итоге были созданы и испытаны на радиолокационных станциях германиевые смесительные СВЧ детекторы с устойчивыми характеристиками (работы курировал вице-адмирал академик А. И. Берг). В 1951 г. за эти работы Н. А. Пенину (совместно с С. Г. Калашниковым, В. Г. Алексеевой и Г. С. Кубецким) присуждена Сталинская премия. Н. А. Пенин участвовал в работах по созданию плоскостных германиевых транзисторов (1952-1955 гг.). Этой темой одновременно занималось несколько институтов. Технология изготовления вплавных диодов и транзисторов, разработанная в ЦНИИ-108 при участии Н. А. Пенина, оказалась наиболее оптимальной: транзисторы обладали наилучшими высокочастотными свойствами. В 1956 г. лаборатория С. Г. Калашникова, в которой работал Николай Алексеевич, была переведена в создававшийся тогда Институт радиотехники и электроники АН СССР. Здесь он выполнил ряд исследований диодов с p-n-переходами. В одной из работ установил роль поверхностной рекомбинации на границе невыпрямляющего электрода и ее влияние на характеристики диодов. На основе исследований емкостных характеристик вплавных диодов были созданы первые параметрические диоды. С 1959 г. Н. А. Пенин работает в Физическом институте им. П. Н. Лебедева РАН (старший научный сотрудник, зав. сектором, в настоящее время --- научный советник). Придя в ФИАН, разработал и собрал своими руками сложную установку для исследования электронного парамагнитного резонанса в полупроводниках, с помощью которой изучал взаимодействие примесей с мелкими энергетическими уровнями в кремнии. В частности, он установил возникновение обменного взаимодействия между атомами фосфора при высоких концентрациях этой примеси. Для лазерной инфракрасной локации на длине волны 10.6 мкм Н. А. Пенин разработал и создал гетеродинный примесный фотоприемник на основе германия, легированного цинком и сурьмой, с чувствительностью, близкой к квантовому пределу. При этом был предложен и реализован метод определения гетеродинных характеристик фотоприемников без применения смешения частот двух независимых лазеров. В результате было показано, что на основе фототермической ионизации могут быть созданы селективные фотоприемники, фоточувствительность которых определяется дополнительной оптической подсветкой (стимуляция). На основе исследования эффекта разогрева дырок слабым электрическим полем в германии p-типа проводимости создан модулятор 10-микрометрового излучения с предельной частотой модуляции более 10 ГГц. Николай Алексеевич выполнил ряд известных работ, посвященных исследованиям неравновесных процессов, фотоэлектрических и оптических явлений, свойств электронно-дырочной жидкости в полупроводниках, высокочастотных эффектов в высокотемпературных сверхпроводниках. Он теоретически рассмотрел эффект отрицательной емкости в однородной полупроводниковой структуре (работа вызвала широкий интерес), емкостные и фотоемкостные свойства МДП конденсатора при низких температурах, а также ряд других эффектов. В настоящее время Николай Алексеевич продолжает активно работать. Н. А. Пенин опубликовал более 100 научных статей и (в соавторстве с С. Н. Ивановым, Н. Е. Скворцовой и Ю. Ф. Соколовым) монографию "Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов" (Сов. радио, Москва, 1965), также изданную в Англии под названием "Physics of microvawe semiconductor diodes" (London Iliffe Books LTD, 1969). Николай Алексеевич --- прекрасный педагог. Своей любовью к физике и электронике он заражал тех, кто работал с ним. Он постоянно побуждал своих сотрудников к совершенствованию и развитию экспериментальных методик, постановке новых задач. Многие сотрудники ФИАН и других организаций любили обсуждать с ним свои научные проблемы и часто пользовались его советами. Под его руководством выполнены и защищены 12 кандидатских диссертаций. Среди его учеников 5 докторов наук. Н. А. Пеннин --- один из создателей кафедры физики полупроводников физического факультета Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова (зав. кафедрой --- профессор С. Г. Калашников), он подготовил и прочел первый курс по физике полупроводниковых приборов, является автором курсов по физике полупроводников, читавшихся им в МГУ и Московском энергетическом институте. Н. А. Пенин был членом ряда специализированных научных советов. Более 10 лет являлся членом секции по радиоэлектронике в Комитете по Ленинским и Государственным премиям СССР, а также членом экспертной группы по экспериментальной физике в Высшей аттестационной комиссии. Н. А. Пенин --- лауреат Сталинской премии (1951 г.), заслуженный деятель науки РСФСР (1991 г.), награжден орденами Трудового Красного Знамени, "Знак почета" и Почета, медалями "В память 800-летия Москвы", "За трудовую доблесть" , "За доблестный труд", "За доблестный труд в Великой Отечественной войне 1941-1945 гг.", "50 лет победы в Великой Отечественной войне 1941-1945 гг." и "В память 850-летия Москвы". Желаем Николаю Алексеевичу доброго здоровья, счастья и новых творческих успехов. Коллеги, друзья, редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  1. Y. Shigesato. In: Hand book of transparent conductors, ed. by S. Devid Ginley, Hideo Hosono, C. Devid Paine (Springer, N.Y., 2010), p. 161
  2. Quan-Bao Ma, Zhi-Zhen Ye, Hai-Ping He, Li-Ping Zhu and Bing-Hui Zhao, Mater. Sci. Semicond. Process, 10, (4--5) (2008)
  3. Minhong Jiang, Xinyu Liu, Hua Wang. Surf. Coat. Technol., 203, 24 (2009)
  4. S.H. Jeong, S. Kho, D. Jung, S.B. Lee, J.H. Boo. Surf. Coat. Technol., 174--175 (2003)
  5. V. Craciun, J. Elders, J. Gardeniers, G.E. Ian, W. Boyd. Appl. Phys. Lett., 65, 23 (1994)
  6. T. Prasada Rao, M.C. Santhosh Kumar. App. Surf. Sci., 258, 8 (2009)
  7. Chien-Yie Tsay, Kai-Shiung Fan, Sih-Han Chen, Chia-Hao Tsai. J. Alloys Comp. 495, 1 (2010)
  8. T. Prasada Rao, M.C. Santhosh Kumar. J. Alloys Comp. 506, 2 (2010)
  9. A. Hafdallah, F. Yanineb, M.S. Aida, N. Attaf. J. Alloys Comp., 509, 26 (2011)
  10. Changhyun Lee, Koengsu Lim, Jinsoo Song. Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 43, 1 (1996)
  11. S.A. Aly, N.Z. El Syed, M.A. Kaid, Vacuum, 61, 1 (2001)
  12. M.S. Aida, E. Tomsella, J. Cellier, M. Jacquet, N. Bouhssira, S. Abed, A. Mosbah. Thin Sol. Films, 515, 4 (2006)
  13. V. L'vov Boris, L. Valer Ugolkovb, F. Fedor Grekovc. Thermochim. Acta. 411, 2 (2004)
  14. N. Bouhssira, S. Abed, E. Tomsella, J. Cellier, A. Mosbah, M.S. Aida, M. Jacquet. App. Surf. Sci., 252, 15 (2006)
  15. U.P. Khairnar, D.S. Bhavasar, R.U. Vaidya, G.P. Bhavasar, Mater. Chem. Phys., 80, 2 (2003)
  16. A.N. Banerjee, C.K. Gosh, K.K. Chattopadhyay, Hideki Minoura, K. Ajay Sarkar, Atsuya Akiba, Atsushi Kamiya, Tamio Endo. Thin Solid Films, 496, 1 (2006)
  17. G.G. Rusu, M. Rusu, Mahela Girtan. Superlattice Microst. 42, (1-6) (2007)
  18. R. Kykyneshi, Jin Zeng, P. Devid Cann. In: Hand book of transparent conductors, ed. by S. Devid Ginley, Hideo Hosono, C. Devid Paine (Springer, N.Y., 2010), p. 173
  19. K. Elmer. In: Hand book of transparent conductors, ed. by S. Devid Ginley, Hideo Hosono, C. Devid Paine (Springer, N.Y., 2010), p. 208
  20. K. Elmer. In: Hand book of transparent conductors, ed. by S. Devid Ginley, Hideo Hosono, C. Devid Paine (Springer, N.Y., 2010), p. 210
  21. S.M Sze. Physics of Semiconductor Devices (Wiely, N.Y., 2006)
  22. A.E. Jimenez-Gonzalez, J.A. Soto Urueta, R. Suraz-Parra. J. Cryst. Growth 192, (3--4) (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.