"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Николай Алексеевич Пенин к 100-летию со дня рождения
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

[!t] Пенин Николай Алексеевич --- доктор физико-математических наук, профессор, видный специалист в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов. Им получены результаты первостепенного научного и практического значения. Многие его работы легли в основу промышленного развития полупроводниковой электроники в СССР. Н. А. Пенин родился 26 апреля 1912 г. в селе Кушелово Лотошинского района Московской области. Еще будучи учеником 7-летней школы он заинтересовался радиотехникой, мастерил детекторные приемники, включая радиоприемник О. В. Лосева с усиливающим кристаллом --- "кристадином". "Взрослую" научно-техническую и инженерную деятельность он начал на Московском электроламповом заводе (1930-1934 гг.), где работал по окончании Московского техникума электропромышленности им. Л. Б. Красина. Непосредственно участвовал в разработке и изготовлении сигнальных неоновых ламп и трубок для аэродромных маяков и рекламных целей. Конструировал и изготавливал фотоэлементы и фотоэлектронные умножители для звукового кино. Первый звуковой кинофильм "Путевка в жизнь" демонстрировался с использованием изготовленных им серно-калиевых фотоэлементов. Сконструировал и изготовил неоновые лампы с равномерно светящимся экраном, использовавшиеся для получения изображения при приеме телевизионного сигнала. В 1934-1939 гг. Н. А. Пенин учился на Физическом факультете Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова (МГУ), после окончания которого работал научным сотрудником в Научно-исследовательском кино-фото институте, где по предложению академика А.Ф. Иоффе участвовал в разработке селеновых выпрямителей для кино- и оборонной техники. Он разработал методику очистки и легирования селена, а также более совершенную технологию изготовления селеновых выпрямителей, основанную на осаждении паров серы на поверхность селенового слоя. В конце 1945 г. Николай Алексеевич перешел в Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт (ЦНИРТИ), тогда ЦНИИ-108 Министерства обороны. Здесь первым в нашей стране получил очищенный, а затем монокристаллический и легированный мелкой примесью (сурьмой) германий (1948 г.). В итоге были созданы и испытаны на радиолокационных станциях германиевые смесительные СВЧ детекторы с устойчивыми характеристиками (работы курировал вице-адмирал академик А. И. Берг). В 1951 г. за эти работы Н. А. Пенину (совместно с С. Г. Калашниковым, В. Г. Алексеевой и Г. С. Кубецким) присуждена Сталинская премия. Н. А. Пенин участвовал в работах по созданию плоскостных германиевых транзисторов (1952-1955 гг.). Этой темой одновременно занималось несколько институтов. Технология изготовления вплавных диодов и транзисторов, разработанная в ЦНИИ-108 при участии Н. А. Пенина, оказалась наиболее оптимальной: транзисторы обладали наилучшими высокочастотными свойствами. В 1956 г. лаборатория С. Г. Калашникова, в которой работал Николай Алексеевич, была переведена в создававшийся тогда Институт радиотехники и электроники АН СССР. Здесь он выполнил ряд исследований диодов с p-n-переходами. В одной из работ установил роль поверхностной рекомбинации на границе невыпрямляющего электрода и ее влияние на характеристики диодов. На основе исследований емкостных характеристик вплавных диодов были созданы первые параметрические диоды. С 1959 г. Н. А. Пенин работает в Физическом институте им. П. Н. Лебедева РАН (старший научный сотрудник, зав. сектором, в настоящее время --- научный советник). Придя в ФИАН, разработал и собрал своими руками сложную установку для исследования электронного парамагнитного резонанса в полупроводниках, с помощью которой изучал взаимодействие примесей с мелкими энергетическими уровнями в кремнии. В частности, он установил возникновение обменного взаимодействия между атомами фосфора при высоких концентрациях этой примеси. Для лазерной инфракрасной локации на длине волны 10.6 мкм Н. А. Пенин разработал и создал гетеродинный примесный фотоприемник на основе германия, легированного цинком и сурьмой, с чувствительностью, близкой к квантовому пределу. При этом был предложен и реализован метод определения гетеродинных характеристик фотоприемников без применения смешения частот двух независимых лазеров. В результате было показано, что на основе фототермической ионизации могут быть созданы селективные фотоприемники, фоточувствительность которых определяется дополнительной оптической подсветкой (стимуляция). На основе исследования эффекта разогрева дырок слабым электрическим полем в германии p-типа проводимости создан модулятор 10-микрометрового излучения с предельной частотой модуляции более 10 ГГц. Николай Алексеевич выполнил ряд известных работ, посвященных исследованиям неравновесных процессов, фотоэлектрических и оптических явлений, свойств электронно-дырочной жидкости в полупроводниках, высокочастотных эффектов в высокотемпературных сверхпроводниках. Он теоретически рассмотрел эффект отрицательной емкости в однородной полупроводниковой структуре (работа вызвала широкий интерес), емкостные и фотоемкостные свойства МДП конденсатора при низких температурах, а также ряд других эффектов. В настоящее время Николай Алексеевич продолжает активно работать. Н. А. Пенин опубликовал более 100 научных статей и (в соавторстве с С. Н. Ивановым, Н. Е. Скворцовой и Ю. Ф. Соколовым) монографию "Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов" (Сов. радио, Москва, 1965), также изданную в Англии под названием "Physics of microvawe semiconductor diodes" (London Iliffe Books LTD, 1969). Николай Алексеевич --- прекрасный педагог. Своей любовью к физике и электронике он заражал тех, кто работал с ним. Он постоянно побуждал своих сотрудников к совершенствованию и развитию экспериментальных методик, постановке новых задач. Многие сотрудники ФИАН и других организаций любили обсуждать с ним свои научные проблемы и часто пользовались его советами. Под его руководством выполнены и защищены 12 кандидатских диссертаций. Среди его учеников 5 докторов наук. Н. А. Пеннин --- один из создателей кафедры физики полупроводников физического факультета Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова (зав. кафедрой --- профессор С. Г. Калашников), он подготовил и прочел первый курс по физике полупроводниковых приборов, является автором курсов по физике полупроводников, читавшихся им в МГУ и Московском энергетическом институте. Н. А. Пенин был членом ряда специализированных научных советов. Более 10 лет являлся членом секции по радиоэлектронике в Комитете по Ленинским и Государственным премиям СССР, а также членом экспертной группы по экспериментальной физике в Высшей аттестационной комиссии. Н. А. Пенин --- лауреат Сталинской премии (1951 г.), заслуженный деятель науки РСФСР (1991 г.), награжден орденами Трудового Красного Знамени, "Знак почета" и Почета, медалями "В память 800-летия Москвы", "За трудовую доблесть" , "За доблестный труд", "За доблестный труд в Великой Отечественной войне 1941-1945 гг.", "50 лет победы в Великой Отечественной войне 1941-1945 гг." и "В память 850-летия Москвы". Желаем Николаю Алексеевичу доброго здоровья, счастья и новых творческих успехов. Коллеги, друзья, редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"
  • Y. Shigesato. In: Hand book of transparent conductors, ed. by S. Devid Ginley, Hideo Hosono, C. Devid Paine (Springer, N.Y., 2010), p. 161
  • Quan-Bao Ma, Zhi-Zhen Ye, Hai-Ping He, Li-Ping Zhu and Bing-Hui Zhao, Mater. Sci. Semicond. Process, 10, (4--5) (2008)
  • Minhong Jiang, Xinyu Liu, Hua Wang. Surf. Coat. Technol., 203, 24 (2009)
  • S.H. Jeong, S. Kho, D. Jung, S.B. Lee, J.H. Boo. Surf. Coat. Technol., 174--175 (2003)
  • V. Craciun, J. Elders, J. Gardeniers, G.E. Ian, W. Boyd. Appl. Phys. Lett., 65, 23 (1994)
  • T. Prasada Rao, M.C. Santhosh Kumar. App. Surf. Sci., 258, 8 (2009)
  • Chien-Yie Tsay, Kai-Shiung Fan, Sih-Han Chen, Chia-Hao Tsai. J. Alloys Comp. 495, 1 (2010)
  • T. Prasada Rao, M.C. Santhosh Kumar. J. Alloys Comp. 506, 2 (2010)
  • A. Hafdallah, F. Yanineb, M.S. Aida, N. Attaf. J. Alloys Comp., 509, 26 (2011)
  • Changhyun Lee, Koengsu Lim, Jinsoo Song. Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 43, 1 (1996)
  • S.A. Aly, N.Z. El Syed, M.A. Kaid, Vacuum, 61, 1 (2001)
  • M.S. Aida, E. Tomsella, J. Cellier, M. Jacquet, N. Bouhssira, S. Abed, A. Mosbah. Thin Sol. Films, 515, 4 (2006)
  • V. L'vov Boris, L. Valer Ugolkovb, F. Fedor Grekovc. Thermochim. Acta. 411, 2 (2004)
  • N. Bouhssira, S. Abed, E. Tomsella, J. Cellier, A. Mosbah, M.S. Aida, M. Jacquet. App. Surf. Sci., 252, 15 (2006)
  • U.P. Khairnar, D.S. Bhavasar, R.U. Vaidya, G.P. Bhavasar, Mater. Chem. Phys., 80, 2 (2003)
  • A.N. Banerjee, C.K. Gosh, K.K. Chattopadhyay, Hideki Minoura, K. Ajay Sarkar, Atsuya Akiba, Atsushi Kamiya, Tamio Endo. Thin Solid Films, 496, 1 (2006)
  • G.G. Rusu, M. Rusu, Mahela Girtan. Superlattice Microst. 42, (1-6) (2007)
  • R. Kykyneshi, Jin Zeng, P. Devid Cann. In: Hand book of transparent conductors, ed. by S. Devid Ginley, Hideo Hosono, C. Devid Paine (Springer, N.Y., 2010), p. 173
  • K. Elmer. In: Hand book of transparent conductors, ed. by S. Devid Ginley, Hideo Hosono, C. Devid Paine (Springer, N.Y., 2010), p. 208
  • K. Elmer. In: Hand book of transparent conductors, ed. by S. Devid Ginley, Hideo Hosono, C. Devid Paine (Springer, N.Y., 2010), p. 210
  • S.M Sze. Physics of Semiconductor Devices (Wiely, N.Y., 2006)
  • A.E. Jimenez-Gonzalez, J.A. Soto Urueta, R. Suraz-Parra. J. Cryst. Growth 192, (3--4) (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.