Долговременная релаксация фотопроводимости в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs со связанными квантовыми ямами при межзонном возбуждении
Вайнберг В.В.1, Васецкий В.М.1, Гуденко Ю.Н.1, Порошин В.Н1, Байдусь Н.В.2, Звонков Б.Н.2
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.
Экспериментально исследована кинетика фотопроводимости в гетероструктурах n-InxGa1-xAs/GaAs с двойными связанными квантовыми ямами и delta-легированием в одной из них при межзонном возбуждении. Показано, что долговременный спад фотопроводимости, наблюдаемый в интервале температур от 10 до 70 K, обусловлен хаотическим потенциалом, связанным с флуктуациями состава в слоях квантовых ям.
- Н.В. Байдусь, В.В. Вайнберг, Б.Н. Звонков, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин, О.Г. Сарбей. ФТП, 46, 649 (2012)
- F. Martelli, A. Polimeni, M. Gurioli, M. Colocci, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. B, 53, 7421 (1996)
- F.Y. Tsai, C.P. Lee, O. Voskoboynikov, H.H. Cheng, Jinxi Shen, Yasuo Oka. J. Appl. Phys., 89, 7875 (2001)
- L.C. Tsai, C.F. Huang, J.C. Fan, Y.H. Chang, Y.F. Chen, W.C Tsai, C.Y. Chang. J. Appl. Phys., 84, 877 (1998)
- Т.T. Chen, W.S. Su, Y.F. Chen, P.W. Liu, H.H. Lin. Appl. Phys. Lett., 85, 1526 (2004)
- А.А. Ронасси, А.К. Федотов. Вестн. БГУ, сер. 1, N 2, 8 (2010)
- A.S. Dissanayake, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Phys. Rev. B, 48, 8145 (1993)
- Н.В. Байдусь, С.В. Хазанова, В.Е. Дегтярев. Матер. совещ. "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, Изд-во ИФМ РАН, 2011) т. 2, с. 531
- М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
