"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Солтанович О.А.1, Якимов Е.Б.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Исследованы вольт-фарадные характеристики, а также частотные зависимости емкости и проводимости светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами в диапазонах частот 60 Гц-5 МГц и температур 77-300 K. Показано, что релаксация носителей заряда в квантовых ямах может быть описана двумя эмиссионными процессами: термоактивационным и со степенной зависимостью скорости эмиссии от температуры. Показано также, что в типичных светоизлучающих структурах на основе InGaN/GaN одна или несколько квантовых ям могут оставаться заполненными даже при сравнительно больших значениях обратного смещения. Это позволяет объяснить обнаруженный ранее на таких структурах сдвиг эффективных профилей распределения носителей заряда, полученных из вольт-фарадных характеристик, относительно границы p-n-перехода при понижении температуры.
  • В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35, 861 (2001)
  • F. Rossi, M. Pavesi, M. Meneghini, M. Manfredi, G. Meneghesso, A. Castaldini, A. Cavallini, L. Rigutti, U. Strass, U. Zehnder, E. Zanoni. J. Appl. Phys., 99, 053 104 (2006)
  • A.Y. Polyakov, A.V. Govorkov, N.B. Smirnov, A.V. Markov, In-Hwan Lee, Jin-Woo Ju, S.Yu. Karpov, N.M. Shmidt, S.J. Pearton. J. Appl. Phys., 105, 123 708 (2009)
  • P. Blood, J.W. Orton. The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States (London--San Diego--N.Y., Academic Press, 1992) ch. 6
  • C.R. Moon, B.D. Choe, S.D. Kwon, H.K. Shin, H.J. Lim. J. Appl. Phys., 84, 2673 (1998)
  • O.A. Soltanovich, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov. Abstracts of 31th Workshop on Compound Semicond. Dev. Integr. Circuits in Europe (Venice, Italy, 2007) p. 25
  • T.-S. Kim, B.-J. Ahn, Y. Dong, K.-N. Park, J.-G. Lee, Y. Moon, H.-K. Yuh, S.-C. Choi, J.-H. Lee, S.-K. Hong, J.-H. Song. Appl. Phys. Lett., 100, 071 910 (2012)
  • O.A. Солтанович, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. ФТП, 45, 226 (2011)
  • L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 45, 1839 (1974)
  • D.L. Losee. Appl. Phys. Lett., 21, 54 (1972)
  • О.В. Кучерова, В.И. Зубков, А.В. Соломонов, Д.В. Давыдов. ФТП, 44, 352 (2010)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 423 [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., John Wiley \& Sons, 1981) v. 1, ch. 7]
  • O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, N.A. Yarykin. Proc. SPIE, 4340, 103 (2000)
  • A.E. Chernyakov, M.M. Sobolev, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, E.B. Yakimov. Superlat. Microstruct., 45, 301 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.