"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Динамика фотолюминесценции в наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb
Винниченко М.Я.1, Фирсов Д.А.1, Воробьев Л.Е.1, Машко М.О.1, Shterengas L.1, Belenky G.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Исследованы зависимости интенсивности фотолюминесценции от времени в квантовых ямах InGaAsSb/ AlGaAsSb, имеющих различную ширину и различный состав материала барьера. Из анализа динамики фотолюминесценции найдены времена захвата носителей заряда в квантовые ямы, времена энергетической релаксации и времена жизни, в том числе время жизни по отношению к резонансной оже-рекомбинации. Показано, что при определенной конфигурации структур может наблюдаться резонансная оже-рекомбинация неравновесных носителей заряда.
  • G. Belenky, L. Shterengas, G. Kipshidze, T. Hosoda. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 17 (5), 1426 (2011)
  • L. Shterengas, G. Belenky, T. Hosoda, G. Kipshidze, S. Suchalkin. Appl. Phys. Lett., 93, 011 103 (2008)
  • Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (5), 566 (2008)
  • D.-J. Jang, Michael E. Flatte, C.H. Grein, J.T. Olesberg, T.C. Hasenberg, Thomas F. Boggess. Phys. Rev. B, 58, 13 047 (1998)
  • J. Shah. IEEE J. Quant. Electron., 24, 276 (1988)
  • Д.А. Фирсов, L. Shterengas, G. Kipshidze, В.Л. Зерова, T. Hosoda, П. Тхумронгсилапа, Л.Е. Воробьев, G. Belenky. ФТП, 44 (1), 53 (2010)
  • A. Amo, M.D. Martin, L. Vina, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 73, 035 205 (2006)
  • Б.Л. Гельмонт, Р.И. Лягущенко, И.Н. Яссиевич. ФTT, 14 (2), 533 (1972).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.