"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Динамика фотолюминесценции в наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb
Винниченко М.Я.1, Фирсов Д.А.1, Воробьев Л.Е.1, Машко М.О.1, Shterengas L.1, Belenky G.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Исследованы зависимости интенсивности фотолюминесценции от времени в квантовых ямах InGaAsSb/ AlGaAsSb, имеющих различную ширину и различный состав материала барьера. Из анализа динамики фотолюминесценции найдены времена захвата носителей заряда в квантовые ямы, времена энергетической релаксации и времена жизни, в том числе время жизни по отношению к резонансной оже-рекомбинации. Показано, что при определенной конфигурации структур может наблюдаться резонансная оже-рекомбинация неравновесных носителей заряда.
  1. G. Belenky, L. Shterengas, G. Kipshidze, T. Hosoda. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 17 (5), 1426 (2011)
  2. L. Shterengas, G. Belenky, T. Hosoda, G. Kipshidze, S. Suchalkin. Appl. Phys. Lett., 93, 011 103 (2008)
  3. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42 (5), 566 (2008)
  4. D.-J. Jang, Michael E. Flatte, C.H. Grein, J.T. Olesberg, T.C. Hasenberg, Thomas F. Boggess. Phys. Rev. B, 58, 13 047 (1998)
  5. J. Shah. IEEE J. Quant. Electron., 24, 276 (1988)
  6. Д.А. Фирсов, L. Shterengas, G. Kipshidze, В.Л. Зерова, T. Hosoda, П. Тхумронгсилапа, Л.Е. Воробьев, G. Belenky. ФТП, 44 (1), 53 (2010)
  7. A. Amo, M.D. Martin, L. Vina, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev. Phys. Rev. B, 73, 035 205 (2006)
  8. Б.Л. Гельмонт, Р.И. Лягущенко, И.Н. Яссиевич. ФTT, 14 (2), 533 (1972).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.