"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние облучения ионами He+ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs
Горшков А.П.1, Карпович И.А.1, Павлова Е.Д.1, Волкова Н.С.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Исследовано влияние ионной имплантации He+ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs и квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.
  1. И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь и др. ФТП, 28, 104 (1994)
  2. Y.C. Chen, J. Singh. J. Appl. Phys., 74, 3800 (1993)
  3. Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь и др. ФТП, 35, 92 (2001)
  4. I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov. Phys. Low-Dim. Structur., 3/4, 341 (2001)
  5. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, M.D. Ziegler. SRIM The Stopping and Range of Ions in Matter (2010) p. 300
  6. А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 5, 25 (2006)
  7. А.П. Горшков, И.А. Карпович, Е.Д. Павлова, И.Л. Калентьева. ФТП, 46, 194 (2012)
  8. А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, А.Ю. Егоров и др. ФТП, 42, 1122 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.