"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние облучения ионами He+ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs
Горшков А.П.1, Карпович И.А.1, Павлова Е.Д.1, Волкова Н.С.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Исследовано влияние ионной имплантации He+ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs и квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.
  • И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь и др. ФТП, 28, 104 (1994)
  • Y.C. Chen, J. Singh. J. Appl. Phys., 74, 3800 (1993)
  • Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь и др. ФТП, 35, 92 (2001)
  • I.A. Karpovich, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov. Phys. Low-Dim. Structur., 3/4, 341 (2001)
  • J.F. Ziegler, J.P. Biersack, M.D. Ziegler. SRIM The Stopping and Range of Ions in Matter (2010) p. 300
  • А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 5, 25 (2006)
  • А.П. Горшков, И.А. Карпович, Е.Д. Павлова, И.Л. Калентьева. ФТП, 46, 194 (2012)
  • А.А. Гуткин, П.Н. Брунков, А.Ю. Егоров и др. ФТП, 42, 1122 (2008)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.