Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ состава твердых растворов (Al,Ga)As методами вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеновской дифрактометрии
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 25 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
Получены калибровочные линии для послойного анализа концентрации матричных элементов в слоях AlxGa1-xAs на вторично-ионном масс-спектрометре TOF.SIMS-5. Концентрация твердого раствора для набора тестовых образцов была независимо измерена методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения с учетом отклонения периода решетки и упругих модулей от закона Вегарда. Показано, что при использовании в методе вторично-ионной масс-спектрометрии распыляющих ионов Cs+ и анализирующего пучка Bi+ близкой к линейной для положительных ионов является зависимость отношения интенсивностей Y(CsAl+)/ Y(CsAs+) от x(AlAs); при регистрации отрицательных ионов близкой к линейной является зависимость Y(Al2As-)/ Y(As-) от x. Эти данные позволяют нормировать профили послойного анализа в системе AlxGa1-xAs/GaAs. Кроме того, предложен простой вариант введения поправок на отклонение от закона Вегарда в рентгеновские данные.
- M. Prutton. Introduction to surface physics (Oxford, Clarendon Press, 1994)
- Z.M. Hossain, B.F. Jonathan, H.T. Johnson. J. Appl. Phys., 103, 073 508 (2008)
- М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов. Поверхность. РСНИ, N 6, 93 (2011)
- М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов. ФТП, 44 (3), 418 (2010)
- Б.К. Вайнштейн, В.М. Фридкин, В.Л. Инденбом. Современная кристаллография. Т.: Структура кристаллов (М., Наука, 1979)
- S.T. Murphy, A. Chroneos, C. Jiang, U. Schwingenschlogl, R.W. Grimes. Phys. Rev. B, 82, 073 201 (2010)
- S. Gehrsitz, H. Sigg, N. Herres, K. Bachem, K. Kohler, F.K. Reinhart. Phys. Rev. B, 60, 11601 (1999)
- Z.R. Wasilewski, M.M. Dion, D.J. Lockwood, P. Poole, R.W. Streater, A.J. Spring-Thorpe. J. Appl. Phys., 81 (4), 1683 (1997)
- B.K. Tanner, A.G. Tumbull, S.R. Stanley, A.H. Kean, M. McElhinney. Appl. Phys. Lett., 59, 2272 (1991)
- M.S. Goorsky, T.F. Kuech, M.A. Tischler, R.M. Potemski. Appl. Phys. Lett., 59, 2269 (1991)
- Ю.Н. Дроздов, Л.Д. Молдавская. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей на многослойных эпитаксиальных структурах. Физика твердого тела: Лабораторный практикум, под ред. А.Ф. Хохлова (М., Высш. шк., 2001) т. 1
- Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, А.В. Новиков, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов. Изв. РАН. Сер. физ., 75 (1), 45 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
