"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В1,2, Заварин Е.Е.1,2, Сахаров А.В.1,2, Мусихин Ю.Г., Усов С.О.1,2, Мизеров М.Н.2, Черкашин Н.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
Поступила в редакцию: 15 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Проведены исследования гетероструктур InGaN/(Al,Ga)N, содержащих сверхтонкие слои InGaN, выращенные методом субмонослойного роста. Было показано, что в случае роста сверхтонких слоев InGaN путем циклического осаждения InGaN и GaN с эффективными толщинами менее одного монослоя в слоях InGaN наблюдается значительная фазовая сепарация с образованием локальных In-обогащенных областей, имеющих латеральные размеры ~ 5-8 нм и высоту ~3-4 нм. Были проведены исследования влияния прерываний роста в водород-содержащей атмосфере при субмонослойном росте на структурные и оптические свойства гетероструктур InGaN/(Al,Ga)N. Установлено, что эти прерывания стимулируют фазовую сепарацию. Было показано, что изменяя эффективные толщины InGaN и GaN в циклах субмонослойного осаждения, можно влиять на образование In-обогащенных областей.
  1. A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.R. Koush et al. J. Electron. Mater. 28, 537 (1999)
  2. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35 (21), 1845 (1999)
  3. K.P. O'Donnell, R.W. Martin, P.G. Middleton. Phys. Rev. Lett., 82, 237 (1999)
  4. Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 8 (12), 2099 (2002)
  5. N.H. Karam, T. Parodos, P. Colter, D. McNulty, W. Rowland, J. Schetzina, N. El-Masry, Salah M. Bedair. Appl. Phys. Lett. 67, 94 (1995)
  6. S. Keller, U.K. Mishra, S.P. Denbaars. J. Electron. Mater., 26 (10), 1118 (1997)
  7. A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev-=SUP=-$-=/SUP=-, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol. 14, 575 (1999)
  8. В.В. Гончаров, М.Н. Корытов. П.Н. Брунков, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин. А.Ф. Цацульников, С.Г. Конников. Изв. РАН. Cерия физ., 73 (1) 40 (2009)
  9. E.L. Piner, M.K. Behbehani, N.A. El-Masry, F.G. McIntosh, J.C. Roberts, K.S. Boutros, S.M. Bedair. Appl. Phys. Lett., 70, 461 (1997)
  10. Ta-Chuan Kuo, Wei-Jen Chen, Chih-Chun Ke, Cheng-Wei Hung, Hui-Tang Shen, Jen-Cheng Wang, Ya-Fen Wu, Tzer-En Nee. Proc. SPIE, 6473, 64730D (2007)
  11. W. Liu, S.J. Chua, X.H. Zhang, J. Zhang. Appl. Phys. Lett. 83, 914 (2003)
  12. A.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, B.C. Сизов, С.О. Усов, Ю.Г. Мусихин, D. Gerthsen. ФТП, 44 (6), 857 (2010)
  13. Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, М.М. Павлов, Н.А. Черкашин, M.J. Hytch, Г.А. Вальковский, М.А. Яговкина, С.О. Усов. ФТП, 45 (2), 274 (2011)
  14. M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  15. HREM Research, http://www.hremresearch.com

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.