"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
Цацульников А.Ф.1,2, Лундин В.В1,2, Заварин Е.Е.1,2, Сахаров А.В.1,2, Мусихин Ю.Г., Усов С.О.1,2, Мизеров М.Н.2, Черкашин Н.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
Поступила в редакцию: 15 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2012 г.

Проведены исследования гетероструктур InGaN/(Al,Ga)N, содержащих сверхтонкие слои InGaN, выращенные методом субмонослойного роста. Было показано, что в случае роста сверхтонких слоев InGaN путем циклического осаждения InGaN и GaN с эффективными толщинами менее одного монослоя в слоях InGaN наблюдается значительная фазовая сепарация с образованием локальных In-обогащенных областей, имеющих латеральные размеры ~ 5-8 нм и высоту ~3-4 нм. Были проведены исследования влияния прерываний роста в водород-содержащей атмосфере при субмонослойном росте на структурные и оптические свойства гетероструктур InGaN/(Al,Ga)N. Установлено, что эти прерывания стимулируют фазовую сепарацию. Было показано, что изменяя эффективные толщины InGaN и GaN в циклах субмонослойного осаждения, можно влиять на образование In-обогащенных областей.
  • A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, A.Yu. Egorov, A.R. Koush et al. J. Electron. Mater. 28, 537 (1999)
  • A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, D.A. Bedarev, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, I.P. Soshnikov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 35 (21), 1845 (1999)
  • K.P. O'Donnell, R.W. Martin, P.G. Middleton. Phys. Rev. Lett., 82, 237 (1999)
  • Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 8 (12), 2099 (2002)
  • N.H. Karam, T. Parodos, P. Colter, D. McNulty, W. Rowland, J. Schetzina, N. El-Masry, Salah M. Bedair. Appl. Phys. Lett. 67, 94 (1995)
  • S. Keller, U.K. Mishra, S.P. Denbaars. J. Electron. Mater., 26 (10), 1118 (1997)
  • A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, N.A. Maleev-=SUP=-$-=/SUP=-, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol. 14, 575 (1999)
  • В.В. Гончаров, М.Н. Корытов. П.Н. Брунков, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин. А.Ф. Цацульников, С.Г. Конников. Изв. РАН. Cерия физ., 73 (1) 40 (2009)
  • E.L. Piner, M.K. Behbehani, N.A. El-Masry, F.G. McIntosh, J.C. Roberts, K.S. Boutros, S.M. Bedair. Appl. Phys. Lett., 70, 461 (1997)
  • Ta-Chuan Kuo, Wei-Jen Chen, Chih-Chun Ke, Cheng-Wei Hung, Hui-Tang Shen, Jen-Cheng Wang, Ya-Fen Wu, Tzer-En Nee. Proc. SPIE, 6473, 64730D (2007)
  • W. Liu, S.J. Chua, X.H. Zhang, J. Zhang. Appl. Phys. Lett. 83, 914 (2003)
  • A.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, B.C. Сизов, С.О. Усов, Ю.Г. Мусихин, D. Gerthsen. ФТП, 44 (6), 857 (2010)
  • Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, М.М. Павлов, Н.А. Черкашин, M.J. Hytch, Г.А. Вальковский, М.А. Яговкина, С.О. Усов. ФТП, 45 (2), 274 (2011)
  • M.J. Hytch, E. Snoeck, R. Kilaas. Ultramicroscopy, 74, 131 (1998)
  • HREM Research, http://www.hremresearch.com
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.