"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов
Осипов К.Ю.1, Великовский Л.Э.2
1Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.

Исследована технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов. Исследованы зависимости скорости реактивно-ионного травления SiC в разряде с индуктивно-связанной плазмой от давления смеси газов SF6/O2/Ar (5-40 мТорр), высокочастотной мощности, подаваемой на нижний электрод (200-300 Вт); соотношения потоков рабочих газов (5:1:(0-10)) и температуры нижнего электрода (5-50oC). На их основе разработан процесс травления щелевых сквозных отверстий в подложках SiC диаметром 76 мм, с толщинами 50, 100 мкм, характеризующийся гладкой морфологией поверхности травления, высокой скоростью (1 мкм/мин) и низким уровнем высокочастотной мощности, вкладываемой в рязряд с индуктивно-связанной плазмой (1000 Вт). Разработанный процесс травления отверстий в подложках SiC характеризуется коэффициентом селективности S=12 и коэффициентом анизотропии травления A=13. В качестве маски для травления сквозных отверстий в подложках SiC рекомендовано использовать пленку на основе NiB. Разработаны процессы формирования металлизации сквозных отверстий с помощью электрохимического осаждения слоев Ni и Au.
  • C. Cismaru, H. Banbrook, H. Shen, P.J. Zampardi. Proc. CS MANTECH Conf. (Palm Springs, USA, 2011)
  • TriQuint 0.35-mum Power pHEMT 3MI Process Data Sheet.
  • M. Rosker, C. Bozada, H. Dietrich, A. Hung. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
  • C. Martin. Proc. CS MANTECH Conf. (Miami, USA, 2004)
  • H. Steiglauer, G. Bodege, D. Ottlin, M. Ilgen, H. Blanck, D. Behammer. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
  • L.F. Voss, K. Ip, S.J. Pearton. J. Vac. Sci. Technol. B, 26 (2), 487 (2008)
  • N. Okamoto, T. Ohki, S. Masuda, M. Kanamura. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
  • J. Ruan, S. Roadman, C. Lee, C. Sellers, M. Regan. Proc. CS MANTECH Conf. (Tampa, USA, 2009)
  • J. Ruan, S. Roadman, W. Skelton. Proc. CS MANTECH Cons. (Portland, USA, 2009)
  • E.J.H. Collart, J.A.G. Baggerman, R.J. Visser. Proc. ISPC-10 Conf. (Bochum, Germany, 1991) 2.2-21, p. 2
  • A.N. Campbell, A.W. Mullendore, C.R. Hills, J.B. Vandersande. J. Mater. Sci., 23, 4049 (1988)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.