Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О растворимости серы в кремнии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 14 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.
Анализируются имеющиеся литературные экспериментальные данные о максимально возможной концентрации растворенной в кремнии серы в зависимости от температуры. Полученные нами в последнее время результаты показывают, что значение растворимой в кристаллах кремния серы примерно в 2 раза превышает справочные данные, что согласуется с данными ряда других исследований.
- A.M. Stoneham, A.J. Fisher, P.T. Greenland. J. Phys. Condens. Matter, 15, L447 (2003)
- R.O. Carlson, R.N. Hall, E.M. Pell. J. Phys. Chem. Sol., 8, 81 (1959)
- E. Janzen, R. Stedman, G. Grossmann, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B, 29, 1907 (1984)
- S.D. Brotherton, M.J. King, G.J. Parker. J. Appl. Phys., 52, 4649 (1981)
- F. Rollert, N.A. Stolwijk, H. Mehrer. Appl. Phys. Lett., 63, 506 (1993)
- N. Sclar. J. Appl. Phys., 52, 5207 (1981)
- Yu.A. Astrov, L.M. Portsel, A.N. Lodygin, V.B. Shuman. Semicond. Sci. Technol., 26, 055 021 (2011)
- Н.С. Жданович, Ю.И. Козлов. ФТП, 10, 1846 (1976)
- P. Wagner, C. Holm, R. Oeder, W. Zulehner. Chalcogens as point defects in silicon. Advances in Sol. St. Phys., ed by P. Grosse (Braunschweig, Vieweg, 1984) 3, 191
- В.Р. Реньян. Технология полупроводникового кремния (М., Металлургия, 1969)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
