Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние температуры осаждения пленки AlOx методом спрей-пиролиза на ее пассивирующие свойства в конструкции кремниевого солнечного элемента
Унтила Г.Г.1, Кост Т.Н.1, Чеботарёва А.Б.1, Закс М.Б.2, Ситников А.М.2, Солодуха О.И.2
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
2ООО "Солнечный ветер", Краснодар, Россия
2ООО "Солнечный ветер", Краснодар, Россия
Поступила в редакцию: 21 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Исследовано влияние температуры осаждения пленки AlOx в диапазоне 330-530oC методом спрей-пиролиза на параметры кремниевых (n+pp+)Cz-Si/AlOx солнечных элементов при тыльном освещении. Обнаружено, что с ростом температуры осаждения AlOx уменьшаются все тыльные параметры: фототок с 25.4 до 24.1 мА/см2, фотонапряжение с 611 до 598 мВ, эффективность с 12.2 до 10.9%, что свидетельствует об ухудшении пассивации p+-поверхности пленкой AlOx. Сделан вывод, что с увеличением температуры осаждения AlOx растет величина положительного заряда, встроенного в нестехиометрический межфазный слой SiOx, образующийся между c-Si и AlOx в процессе осаждения AlOx, что приводит к экранированию отрицательного заряда, локализованного на границе AlOx/SiOx, и соответственно к уменьшению индуцированной полем пассивации.
- B. Hoex, J.J. H. Gielis, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. J. Appl. Phys., 104 113703 (2008)
- R. Hezel, K. Jaeger. J. Electrochem. Soc., 136, 518 (1989)
- G. Agostinelli, P. Vitanov, Z. Alexieva, A. Harizanova, H.F.W. Dekkers, S. De Wolf, G. Beaucarne. Proc. 19th Europ. Photovolt. Splar Energy Conf. (Paris, 2004) p. 132
- G. Agostinelli, A. Delabie, P. Vitanov, Z. Alexieva, H.F.W. Dekkers, S. De Wolf, G. Beaucarne. Sol. Energy Mater. Solar. Cells, 90, 3438 (2006)
- B. Hoex, S.B.S. Heil, E. Langereis, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Appl. Phys. Lett., 89, 042 112 (2006)
- B. Hoex, J. Schmidt, R. Bock, P.P. Altermatt, M.C.M. d. Sanden, W.M.M. Kessels. Appl. Phys. Lett., 91, 112 107 (2007)
- J. Schmidt, A. Merkle, R. Brendel, B. Hoex, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Photovolt.: Res. Appl., 16, 461 (2008)
- J. Benick, B. Hoex, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels, O. Schultz, S.W. Glunz. Appl. Phys. Lett., 92, 253 504 (2008)
- J. Benick, B. Hoex, G. Dingenmans, W.M.M. Kessels, A. Richter, M. Hermle, S.W. Glunz. Proc. 24th Europ. Photovolt. Solar Energy Conf. (Hamburg, 2009) p. 863
- B. Vermang, X. Loozen, C. Allebe, J. John, E. Van Kerschaver, J. Poortmans, R. Mertens. Proc. 24th Europ. Photovolt. Solar Energy Conf. (Hamburg, 2009) p. 1051
- S. Miyajima, J. Irikawa, A. Yamada, M. Konagai. Proc. 24th Europ. Photovolt. Solar Energy Conf. (Valencia, 2009) p. 1029
- P. Saint-Cast, D. Kania, M. Hofmann, J. Benick, J. Rentsch, R. Preu. Appl. Phys. Lett., 95, 151 502 (2009)
- T.-T. Li, A. Cuevas. Phys. Status Solidi, RRL 3, 160 (2009)
- T.-T. Li, S. Ruffell, M. Tucci, Y. Mansoulie, Ch. Samundsett, S. DeIullis, L. Serenelli, A. Cuevas. Sol. Energy Mater. Solar. Cells, 95, 69 (2010)
- G. Untila, T. Kost, A. Chebotareva, M. Zaks, A. Sitnikov, O. Solodukha. Proc. 25th Europ. Photovolt. Solar Energy Conf. (Valencia, 2010) p. 2592
- A. Chebotareva, G. Untila, T. Kost, S. Jorgensen, A.G. Ulyashin. Thin Sol. Films, 515, 8505 (2007)
- G.G. Untila, T.N. Kost, A.B. Chebotareva. Thin Sol. Films, 518, 1345 (2009)
- Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарёва, М.Б. Закс, А.М. Ситников, О.И. Солодуха. ФТП, 39, 1393 (2005). [Semiconductors, 39, 1349 (2005)]
- B. Hoex, J. Schmidt, P. Pohl, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. J. Appl. Phys., 104, 044 903 (2008)
- J.J.H. Gielis, B. Hoex, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. J. Appl. Phys., 104, 073 701 (2008)
- N.M. Terlinden, G. Dingemans, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Appl. Phys. Lett., 96, 112 101 (2010)
- G. Dingemans, R. Seguin, P. Engelhart, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Phys. Status Solidi, RRL 4, 10 (2010)
- A.R. Chowdhuri, C.G. Takoudis, R.F. Klie, N.D. Browning. Appl. Phys. Lett., 80, 4241 (2002)
- J.A. Aboad, D.R. Kerr, E. Bassous. J. Electrochem. Soc.: Solid-State Sci. Technol., 120, 1130 (1973)
- R.F. Klie, N.D. Browning, A.R. Chowdhuri, C.G. Takoudis. Appl. Phys. Lett., 83, 1187 (2003)
- G. Dingemans, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Electrochem., and Solid-State Lett., 13, H76-H79 (2010)
- S.-C. Ha, E. Choi, S.-H. Kim, J.S. Roh. Thin Sol. Films, 476, 252 (2005)
- J. Shewchun, J. Dubow, C.W. Wilmsen, R. Singh, D. Burk, J.F. Wager. Appl. Phys., 50, 2832 (1979)
- H. Kobayashi, Y. Kogetsu, T. Ishida, Y. Nakato. J. Appl. Phyt., 74, 4756 (1993)
- H. Kobayashi, T. Ishida, Y. Nakato, H. Tsubomura. J. Appl. Phys., 69, 1736 (1991)
- Г.Г. Унтила, Т.Н. Кост, А.Б. Чеботарёва, М.Б. Закс, А.М. Ситников, О.В. Солодуха. ФТП, 42, 406 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
