Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний n-GaAs(100)
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние предварительной подготовки подложек на спектр электронных состояний диодов Шоттки Au/n-GaAs(100). Обнаружены две полосы распределенных по энергии состояний вблизи границы раздела металл-полупроводник. Полоса состояний, проявляющаяся в спектрах при температурах 200-300 K, объясняется присутствием на поверхности кластеров элементарного As, который скапливается в ходе оксидообразования при выдержке образцов на воздухе. Разупорядочением поверхности в процессе селективного травления объясняется появление полосы состояний, проявляющейся в диапазоне 100-250 K. Отжиг в парах селена залечивает дефекты приповерхностной области и удаляет обе полосы состояний из спектров. Отожженные в Se2 образцы содержат только набор уровней, характерных для объема GaAs.
- Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
- Г.М. Мокроусов, О.Н. Зарубина. Изв. Томского политехн. ун-та, 313 (3), 25 (2008)
- A. Seletes, F. Turco, J. Massies, J.P. Contour. J. Electrochem. Soc., 135 (2), 504 (1988)
- Н.А. Торхов. ФТП, 37 (10), 1205 (2003)
- ВГ. Божков, Н.А. Торхов, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. ФТП, 42 (5), 546 (2008)
- C.D. Thurmond, G.P. Schwartz, G.W. Kammlott, B. Schwartz. Sol. St. Sci. Technol., 127, 1366 (1980)
- Hong H. Lee, L. Figueroa. J. Electrochem. Soc., 135 (2), 496 (1988)
- P.J. Grunthaner, R.P. Vasquez, F.J. Crunthaner. J. Vac. Sci. Technol., 17 (5), 1945 (1980)
- G. Hollinger, R. Skheyta-Kabbani, M. Gendry. Phys. Rev., B, 49 (16), 11 159 (1994)
- A.G. Baca, Carol Iris Hill Ashby. Fabrication of GaAs Devices (The Institutes of Elecrtical Engineers, UK, 2005)
- D.A. Allwood, S. Cox, N.J. Mason, R. Palmer, R. Young, P.J. Walker. Thin Sol. Films, 412, 76 (2002)
- G. Marrakchi, M. Gavard, G. Guillot, E. Rosencher, A. Nauailhat. Appl. Phys. Lett., 54 (6), 540 (1988)
- Ю.В. Капитонов. Тез. докл. молодежной науч. конф. "Физика и прогресс" к 100-летию со дня рождения В.А. Фока (СПб., Россия, 2008) с. 169. http://www.phys.spbu.ru/ content/File/PhysicsAndProgress/Bokk\_2008.pdf
- П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, А.К. Моисеенко, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев, Н.Н. Черкашин, С.Г. Конников, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 38 (4), 401 (2004)
- Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, Б.Л. Агапов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 29, 24 (1995)
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
- Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, С.В. Кузубов, И.Н. Арсеньев, И.С. Тарасов, А.А. Старобубцев, А.Б. Сысоев. Письма ЖТФ, 34 (10), 47 (2008)
- Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, А.В. Каданцев, Л.В. Васильева, Ю.Н. Власов. ПТЭ, 3, 1 (2010)
- A.V. Markov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, Y.N. Bolsheva, A.V. Govorkov, B.N. Sharonov. Sol. St. Electron., 46, 269 (2002)
- T.J. Drummond. Phys. Rev. B, 59 (12), 8182 (1999)
- C.V. Reddy, S. Fing, C.D. Beling. Phys. Rev. B, 54 (16), 11 290 (1996)
- A. Cavallini, L. Polenta. J. Appl. Phys., 98, 023 708 (2005)
- P.N.K. Deenapanray, H.H. Tan, C. Jagadish, F.D. Auret. J. Appl. Phys., 88 (9), 5017 (2000)
- В.Н. Брудный, В.В. Пешев. ФТП, 37 (2), 151 (2004)
- Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, Ю.Н. Сыноров, Г.И. Котов, Е.А. Татохин, А.А. Стародубцев, С.В. Кузубов. Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования, 12, 62 (2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
