"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница lambda0.1=4.5 мкм), работающие при температурах 25-80oC
Ильинская Н.Д.1, Закгейм А.Л.2, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ратушный В.И.3, Ременный М.А.1, Рыбальченко А.Ю.3, Стусь Н.М.1, Черняков А.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск, Россия
Поступила в редакцию: 14 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Проведен анализ вольт-амперных характеристик и температурных зависимостей динамического сопротивления при нулевом смещении для фотодиодов на основе InAsSb, учитывающий сгущение линий тока вблизи анода, с использованием экспериментальных данных о распределении интенсивности положительной и отрицательной люминесценции по поверхности диодов. Обсуждено влияние температуры на эффективность сбора фотогенерированных носителей в диодах, а также влияние конфигурации анода на токовую чувствительность и обнаружительную способность диодов.
  1. G.Y. Sotnikova, G.A. Gavrilov, S.E. Aleksandrov, A.A. Kapralov, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remenny. Sensors J. IEEE, 10 (2), 225 (2010). doi: 10.1109/JSEN.2009.2033259
  2. T.G.J. Jones, B. Matveev, V. Vanshteyn, C. Besson, O.C. Mullins, L. Jiang. UK Patent 2402476, published 03.08.2005
  3. M.A. Remennyy, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus, N.D. Ilinskaya. Proc. SPIE, 6585, 658504 (2007). doi: 10.1117/12.722847
  4. А.Л. Закгейм, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков. ФТП, 43 (3), 412 (2009)
  5. B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650, 173 (2002). doi: 10.1117/12.467661
  6. A. Krier, W. Suleiman. Appl. Phys. Lett., 89, 083512 (2006)
  7. M. Karras, J.L. Reverchon, G. Marre, C. Renard, B. Vinter, X. Marcadet, V. Berger. Appl. Phys. Lett., 87, 102103 (2005)
  8. S.A. Myers, E. Plis, E.P.G. Smith, S. Krishna. SPIE Newsroom, 101117/2.1201010.003269
  9. Ф. Шуберт. Светодиоды, пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича, 2-е изд. (М., Физматлит, 2008)
  10. Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь. ФТП, 45 (4), 554 (2011)
  11. С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, И.В. Мжельский, В.Г. Половинкин, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь. ФТП, 46 (2), 259 (2012)
  12. Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. Письма ЖТФ, 3 (5), 8 (2012)
  13. А.Л. Закгейм, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков. Прикл. физика, N 6, 143 (2008)
  14. В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2, 97 (2005)
  15. V.K. Malyutenko, A.V. Zinovchuk, O.Yu. Malyutenko. Semicond. Sci. Technol., 23, 085 004 (2008)
  16. V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4228 (2001)
  17. O.G. Folberth, O. Madelung, H. Weiss. Z. Naturforsch, 9A, 954 (1954)
  18. В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы, 5-е изд. (СПб., "Лань", 2001)
  19. http:// www.matprop.ru/InAs\_electric
  20. Г.А. Гаврилов, Б.А. Матвеев, Г.Ю. Сотникова. Письма ЖТФ, 37 (18), 50 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.