"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница lambda0.1=4.5 мкм), работающие при температурах 25-80oC
Ильинская Н.Д.1, Закгейм А.Л.2, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ратушный В.И.3, Ременный М.А.1, Рыбальченко А.Ю.3, Стусь Н.М.1, Черняков А.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск, Россия
Поступила в редакцию: 14 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Проведен анализ вольт-амперных характеристик и температурных зависимостей динамического сопротивления при нулевом смещении для фотодиодов на основе InAsSb, учитывающий сгущение линий тока вблизи анода, с использованием экспериментальных данных о распределении интенсивности положительной и отрицательной люминесценции по поверхности диодов. Обсуждено влияние температуры на эффективность сбора фотогенерированных носителей в диодах, а также влияние конфигурации анода на токовую чувствительность и обнаружительную способность диодов.
  • G.Y. Sotnikova, G.A. Gavrilov, S.E. Aleksandrov, A.A. Kapralov, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remenny. Sensors J. IEEE, 10 (2), 225 (2010). doi: 10.1109/JSEN.2009.2033259
  • T.G.J. Jones, B. Matveev, V. Vanshteyn, C. Besson, O.C. Mullins, L. Jiang. UK Patent 2402476, published 03.08.2005
  • M.A. Remennyy, B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, N.M. Stus, N.D. Ilinskaya. Proc. SPIE, 6585, 658504 (2007). doi: 10.1117/12.722847
  • А.Л. Закгейм, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков. ФТП, 43 (3), 412 (2009)
  • B.A. Matveev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, M.A. Remennyi, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Proc. SPIE, 4650, 173 (2002). doi: 10.1117/12.467661
  • A. Krier, W. Suleiman. Appl. Phys. Lett., 89, 083512 (2006)
  • M. Karras, J.L. Reverchon, G. Marre, C. Renard, B. Vinter, X. Marcadet, V. Berger. Appl. Phys. Lett., 87, 102103 (2005)
  • S.A. Myers, E. Plis, E.P.G. Smith, S. Krishna. SPIE Newsroom, 101117/2.1201010.003269
  • Ф. Шуберт. Светодиоды, пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича, 2-е изд. (М., Физматлит, 2008)
  • Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь. ФТП, 45 (4), 554 (2011)
  • С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, И.В. Мжельский, В.Г. Половинкин, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь. ФТП, 46 (2), 259 (2012)
  • Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь. Письма ЖТФ, 3 (5), 8 (2012)
  • А.Л. Закгейм, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.Е. Черняков. Прикл. физика, N 6, 143 (2008)
  • В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2, 97 (2005)
  • V.K. Malyutenko, A.V. Zinovchuk, O.Yu. Malyutenko. Semicond. Sci. Technol., 23, 085 004 (2008)
  • V.K. Malyutenko, O.Yu. Malyutenko, A.D. Podoltsev, I.N. Kucheryavaya, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, N.M. Stus'. Appl. Phys. Lett., 79 (25), 4228 (2001)
  • O.G. Folberth, O. Madelung, H. Weiss. Z. Naturforsch, 9A, 954 (1954)
  • В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. Полупроводниковые приборы, 5-е изд. (СПб., "Лань", 2001)
  • http:// www.matprop.ru/InAs\_electric
  • Г.А. Гаврилов, Б.А. Матвеев, Г.Ю. Сотникова. Письма ЖТФ, 37 (18), 50 (2011)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.