"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кремниевые полевые транзисторы как приемники излучения суб-ТГц диапазона
Бут Д.Б.1, Голенков А.Г.1, Сизов Ф.Ф.1, Сахно Н.В.1, Коринец С.В.1, Гуменюк-Сычевская Ж.В.1, Рева В.П.1, Бунчук С.Г.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 27 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Исследован нерезонансный отклик кремниевых метал-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов (Si-MOSFET) с длинным каналом (1-20 мкм) на излучение частотного диапазона 43-135 ГГц. Транзисторы были изготовлены по 1-мкм-проектным нормам стандартной КМОП технологии. Проведены оценки вольт-ваттной чувствительности и эквивалентной мощности шуму таких приемников с учетом рассчитанной эффективной площади детектирующего элемента. Показано, что такие транзисторы могут работать при комнатной температуре как широкополосные приемники прямого детектирования суб-ТГц излучения. Для диапазона длин волн 4-5 мм их вольт-ваттная чувствительность может достигать десятков кВ/Вт, а эквивалентная шуму мощность 10-11-10-12 Вт/sqrt(Гц)sqrt. Параметры исследуемых приемников можно улучшить с помощью оптимизированных планарных антенн.
  • F. Sizov, A. Rogalski. Progr. Quant. Electron., 34, 278 (2010)
  • F. Schuster, D. Coquillant, H. Videlier, M. Sakowicz, F. Teppe, L. Dussopt, B. Giffard, T. Skotnicki, W. Knap. Opt. Express, 19, 7827 (2011)
  • A. Lisauskas, D. Glaab, H.G. Roskos, E. Oejefors, U.R. Pfeiffer. Proc. SPIE, 7215, 72150J (2009)
  • Y. Deng, M.S. Shur. Solid-State Electronics, 47, 1559 (2003)
  • F. Sizov, V. Reva, A. Golenkov, V. Zabudsky. J. Infrared Milli. Terahz. Waves, 1 (2011)
  • M. Dyakonov, M. Shur. Phys. Rev. Lett., 71, 2465 (1993)
  • M. Dyakonov, M. Shur. Electron Devices, IEEE Transactions on, 43, 380 (1996)
  • D. Veksler, F. Teppe, A.P. Dmitriev, V.Y. Kachorovskii, W. Knap, M.S. Shur. Phys. Rev. B, 73, 125 328 (2006)
  • М.Л. Орлов, А.Н. Панин, Л.К. Орлов. ФТП, 43, 816 (2009)
  • Ф.Ф. Сизов. Фотоэлектроника для систем виденья в " невидимых" участках спектра (Киев, Академпериодика, 2008)
  • M. Dyakonov, M. Shur. Electron Devices, IEEE Transactions on, 43, 1640 (1996)
  • R. Tauk, F. Teppe, S. Boubanga, D. Coquillat, W. Knap, Y.M. Meziani, C. Gallon, F. Boeuf, T. Skotnicki, C. Fenouillet-Beranger, D.K. Maude, S. Rumyantsev, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 89, 253 511 (2006)
  • E. Ojefors, U.R. Pfeiffer, A. Lisauskas, H.G. Roskos. Solid-State Circuits, J. IEEE, 44, 1968 (2009)
  • С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  • A. Lisauskas, U. Pfeiffer, E. Ojeefors, P.H. Bolivar, D. Glaab, H.G. Roskos. J. Appl. Phys., 105, 114 511 (2009)
  • E.A. Gutierrez-D., M.J. Deen, C. Claeys. Low Temperature Electronics: Physics, Devices. Circuits, and Applications (San Diego, Acad. Press, 2001)
  • V. Dobrovolsky, F. Sizov. Semiconductor Science and Technology, 22, 103 (2007)
  • C. Fumeaux, G.D. Boreman, W. Herrmann, F.K. Kneubuhl, H. Rothuizen. Appl. Opt., 38, 37 (1999)
  • C.A. Balanis. Antenna Theory: Analysis and Design (3rd Editions ed., John Wiley \& Sons, 2005)
  • D.B. Davidson. Computational Electromagnetics for RF and Microwave Engineering (N. Y., Cambridge University Press, 2008)
  • W. Liu, X. Jin, J. Chen, M.-C. Jeng, Z. Liu, Y. Cheng, K. Chen, M. Chan, K. Hui, J. Huang, R. Tu, P.K. Ko, C. Hu. BSIM 3v3.2 MOSFET Model Users' Manual (EECS Department, University of California, Berkeley, 1998)
  • F.F. Sizov, O.G. Golenkov, V.P. Reva, D.B. But. Vestnik Novosibirsk State University. Series: Physic, 5, 68 (2010).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.