"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с delta-легированными квантовыми ямами
Байдусь Н.В.1, Вайнберг В.В.2, Звонков Б.Н.1, Пилипчук А.С.2, Порошин В.Н.2, Сарбей О.Г.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 18 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Исследован латеральный транспорт электронов в одно- и двухъямных псевдоморфных гетероструктурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами глубиной 50-100 мэВ и delta-слоями примеси в области ям с концентрацией 1011<Ns<1012 см-2. В одноямных структурах, с легированием в центре ямы, наблюдаются немонотонная температурная зависимость коэффициента Холла и рост низкотемпературной подвижности электронов при увеличении концентрации примеси. Совокупность полученных результатов свидетельствует о том, что в проводимости таких структур существенную роль играют электронные состояния примесной зоны. Включение примесной зоны позволяет также удовлетворительно объяснять характеристики проводимости двухъямных структур, при этом в отличие от одноямных структур важную роль играет изгиб зон вследствие асимметричного легирования. Численные расчеты проводимости в рамках рассмотренной модели подтверждают сделанные предположения.
  1. Р.А. Хабибулин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, Р.А. Лунин, В.А. Кульбачинский. ФТП, 45, 1373 (2011)
  2. V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov et. al. Proc. SPIE, 4318, 192 (2001)
  3. Н.В. Байдусь, П.А. Белевский, А.А. Бирюков, В.В. Вайнберг, М.Н. Винославский, А.В. Иконников, Б.Н. Звонков, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин. ФТП, 44, 1543 (2010)
  4. P.A. Belevski, V.V. Vainberg, M.N. Vinoslavskii, A.V. Kravchenko, V.N. Poroshin, O.G. Sarbey. Ukr. J. Phys., 54 (1--2), 117 (2009)
  5. W. Ted Masselink. Appl. Phys. Lett., 59, 694 (1991)
  6. W. Ted Masselink. Phys. Rev. Lett., 66 (11), 1513 (1991)
  7. Il-Ho Ahn, G. Hugh Song, Young-Dahl Jho. Jpn. J. Appl. Phys., 49, 014 102 (2010)
  8. V.A. Kulbachinskii, I.S. Vasil'evskii, R.A. Lunin, G. Galistu. Semicond. Sci. Technol., 22, 222 (2007)
  9. Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор (М., Наука, 1979)
  10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  11. Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Д.С. Полоскин. ФТП, 44, 491 (2010)
  12. B. Laikhtman, R.A. Kiehl. Phys. Rev. B, 47, 10 515 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.