"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с delta-легированными квантовыми ямами
Байдусь Н.В.1, Вайнберг В.В.2, Звонков Б.Н.1, Пилипчук А.С.2, Порошин В.Н.2, Сарбей О.Г.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 18 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Исследован латеральный транспорт электронов в одно- и двухъямных псевдоморфных гетероструктурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами глубиной 50-100 мэВ и delta-слоями примеси в области ям с концентрацией 1011<Ns<1012 см-2. В одноямных структурах, с легированием в центре ямы, наблюдаются немонотонная температурная зависимость коэффициента Холла и рост низкотемпературной подвижности электронов при увеличении концентрации примеси. Совокупность полученных результатов свидетельствует о том, что в проводимости таких структур существенную роль играют электронные состояния примесной зоны. Включение примесной зоны позволяет также удовлетворительно объяснять характеристики проводимости двухъямных структур, при этом в отличие от одноямных структур важную роль играет изгиб зон вследствие асимметричного легирования. Численные расчеты проводимости в рамках рассмотренной модели подтверждают сделанные предположения.
  • Р.А. Хабибулин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, Р.А. Лунин, В.А. Кульбачинский. ФТП, 45, 1373 (2011)
  • V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov et. al. Proc. SPIE, 4318, 192 (2001)
  • Н.В. Байдусь, П.А. Белевский, А.А. Бирюков, В.В. Вайнберг, М.Н. Винославский, А.В. Иконников, Б.Н. Звонков, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин. ФТП, 44, 1543 (2010)
  • P.A. Belevski, V.V. Vainberg, M.N. Vinoslavskii, A.V. Kravchenko, V.N. Poroshin, O.G. Sarbey. Ukr. J. Phys., 54 (1--2), 117 (2009)
  • W. Ted Masselink. Appl. Phys. Lett., 59, 694 (1991)
  • W. Ted Masselink. Phys. Rev. Lett., 66 (11), 1513 (1991)
  • Il-Ho Ahn, G. Hugh Song, Young-Dahl Jho. Jpn. J. Appl. Phys., 49, 014 102 (2010)
  • V.A. Kulbachinskii, I.S. Vasil'evskii, R.A. Lunin, G. Galistu. Semicond. Sci. Technol., 22, 222 (2007)
  • Н.Ф. Мотт. Переходы металл--изолятор (М., Наука, 1979)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Д.С. Полоскин. ФТП, 44, 491 (2010)
  • B. Laikhtman, R.A. Kiehl. Phys. Rev. B, 47, 10 515 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.