"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре
Пастор А.А.1, Сердобинцев П.Ю.2, Чалдышев В.В.3
1Санкт-Петербургский государственный университет (физический факультет), Старый Петергоф, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Изучена динамика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Условия выращивания эпитаксиального слоя обеспечивали содержание в нем избыточного мышьяка в количестве 1.2%. В таком материале время жизни носителей заряда составляет <1 пс. Для исследования релаксации носителей заряда в фемтосекундном диапазоне разработана оригинальная схема измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe. Определено время жизни неравновесных носителей заряда, оказавшееся равным (200±35) фс.
  • F.W. Smith, A.R. Calawa, C.L. Chen, M.J. Mantra, L.J. Mahoney. Electron. Dev. Lett., 9, 77 (1988)
  • M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.W. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1831 (1989)
  • M.R. Melloch, K. Mahalingam, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren. J. Cryst. Growth, 111, 39 (1991)
  • Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  • J.K. Luo, H. Thomas, D.V. Morgan, D. Westwood, R.H. Williams. Semicond. Sci. Technol., 9, 2199 (1994)
  • M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, D.D. Nolte, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Annual. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
  • S. Gupta, J.F. Whitaker, G.A. Mourou. IEEE J. Quantum. Electron., 28, 2464 (1992)
  • V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Engin. B, 88, 195 (2002)
  • В.В. Чалдышев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский, О.П. Пчеляков, А.В. Хан, В.Г. Канаев, Л.С. Широкова, А.В. Голиков, В.А. Кагадей, Ю.В. Лиленко, Н.В. Карпович. Электронная промышленность, N 1--2, 154 (1999)
  • J.F. Roux, J.L. Coutaz, A. Krotkus. Appl. Phys. Lett., 74, 2462 (1999)
  • P.A. Loukakos, C. Kalpouzos, I.E. Perakis, Z. Hatzopoulos, M. Sfendourakis, G. Kostantinidis, C. Fotakis. J. Appl. Phys., 91, 9863 (2002)
  • M. Haiml, U. Siegner, F. Morier-Genoud, U. Keller, M. Luysberg, P. Specht, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 74, 1269 (1999)
  • A.J. Lochtefeld, M.R. Melloch, J.C.P. Chang, E.S. Harmon. Appl. Phys. Lett., 69, 1465 (1996)
  • U. Siegner, R. Fluck, G. Zhang, U. Keller. Appl. Phys. Lett., 69, 2566 (1996)
  • P.W.E. Smith, S.D. Benjamin, H.S. Loka. Appl. Phys. Lett., 71, 1156 (1997)
  • X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukievich. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  • G.M. Martin. Appl. Phys. Lett., 39, 747 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.