"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN
Красавин С.Е.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 28 сентября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Предложена теоретическая модель в рамках традиционного представления о ридовских цилиндрах для объяснения коллапса подвижности как функции концентрации свободных носителей в пленках на основе GaN. Наряду с фононными и примесными механизмами рассеяния в модели учитывается рассеяние электронов за счет заряженных дислокаций, выстроенных в стенку. Найдено выражение для высоты дрейфового барьера в зависимости от концентрации свободных носителей. На основе полученных уравнений объясняется причина зависимости положения минимума подвижности от дислокационной структуры.
  • Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев, Наук. думка, 1983)
  • В.М. Иевлев, А.В. Бугаков, В.И. Трофимов. Рост и субструктура конденсированных пленок (Воронеж, 2000)
  • S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
  • D. Huang, F. Yun, M.A. Reshchikov, D. Wang, H. Morkoc, D.L. Rode, L.A. Farina, C. Kurdak, K.T. Tsen, S.S. Park, K.Y. Lee. Solid-State Electron., 45, 711 (2001)
  • D.C. Look, J.R. Sizelove. Appl. Phys. Lett., 79, 1133 (2001)
  • N.G. Weimann, L.F. Eastman, D. Doppalapudi, H.M. Ng, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys., 83, 3656 (1998)
  • H.M. Ng, D. Doppalapudi, T.D. Moustakas, N.G. Weimann, L.F. Eastman. Appl. Phys. Lett., 73, 821 (1998)
  • D.C. Look, J.R. Sizelove. Phys. Rev. Lett., 82, 1237 (1999)
  • M.N. Gurusinghe, T.G. Andersson. Phys. Rev. B, 67, 235 208 (2003)
  • J. Ho You, Jun-Qiang Lu, H.T. Johnson. J. Appl. Phys., 99, 033 706 (2006)
  • S. Keller, B.P. Keller, Y.-F. Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J.S. Speck, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 68, 1525 (1996)
  • V. Potin, P. Vermaut, P. Ruterana, G. Nouet. J. Electron. Mater., 27, 266 (1998)
  • A. Bere, A. Serra. Interface Sci., 9, 149 (2001)
  • M. Fehrer, S. Einfeldt, U. Birkle, T. Gollnik, D. Hommel. J. Cryst. Growth, 189/190, 763 (1998)
  • J. Salzman, C. Uzan-Saguy, R. Kalish, V. Richter, B. Mayler. Appl. Phys. Lett., 76, 1431 (2000)
  • I. Shalish, L. Kronik, G. Segal, Y. Shapira, S. Zamir, B. Meyer, J. Salzman. Phys. Rev. B, 61, 15 573 (2000)
  • J.-L. Farvacque, Z. Bougrioua, I. Moerman. Phys. Rev. B, 63, 115 202 (2001)
  • К.М. Дощанов, С.Х. Шамирзаев. ФТП, 12, 2328 (1978)
  • W.T. Read. Phil. Mag., 45, 775 (1954)
  • З.А. Велиев. ФТП, 19, 158 (1985)
  • В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина. УФН, 165, 887 (1995)
  • J.W. Orton, M.J. Powell. Rep. Progr. Phys., 43, 81 (1980)
  • L.L. Kazmerski, W.B. Berry, C.W. Allen. J. Appl. Phys., 43, 3515 (1972)
  • M. Shur, B. Gelmont, M. Asif Khan. J. Electron. Mater., 25, 777 (1996)
  • Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций (М., Атомиздат, 1972)
  • З.А. Велиев. ФТП, 18, 1673 (1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.