"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN
Красавин С.Е.1
1Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 28 сентября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

Предложена теоретическая модель в рамках традиционного представления о ридовских цилиндрах для объяснения коллапса подвижности как функции концентрации свободных носителей в пленках на основе GaN. Наряду с фононными и примесными механизмами рассеяния в модели учитывается рассеяние электронов за счет заряженных дислокаций, выстроенных в стенку. Найдено выражение для высоты дрейфового барьера в зависимости от концентрации свободных носителей. На основе полученных уравнений объясняется причина зависимости положения минимума подвижности от дислокационной структуры.
  1. Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев, Наук. думка, 1983)
  2. В.М. Иевлев, А.В. Бугаков, В.И. Трофимов. Рост и субструктура конденсированных пленок (Воронеж, 2000)
  3. S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
  4. D. Huang, F. Yun, M.A. Reshchikov, D. Wang, H. Morkoc, D.L. Rode, L.A. Farina, C. Kurdak, K.T. Tsen, S.S. Park, K.Y. Lee. Solid-State Electron., 45, 711 (2001)
  5. D.C. Look, J.R. Sizelove. Appl. Phys. Lett., 79, 1133 (2001)
  6. N.G. Weimann, L.F. Eastman, D. Doppalapudi, H.M. Ng, T.D. Moustakas. J. Appl. Phys., 83, 3656 (1998)
  7. H.M. Ng, D. Doppalapudi, T.D. Moustakas, N.G. Weimann, L.F. Eastman. Appl. Phys. Lett., 73, 821 (1998)
  8. D.C. Look, J.R. Sizelove. Phys. Rev. Lett., 82, 1237 (1999)
  9. M.N. Gurusinghe, T.G. Andersson. Phys. Rev. B, 67, 235 208 (2003)
  10. J. Ho You, Jun-Qiang Lu, H.T. Johnson. J. Appl. Phys., 99, 033 706 (2006)
  11. S. Keller, B.P. Keller, Y.-F. Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J.S. Speck, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 68, 1525 (1996)
  12. V. Potin, P. Vermaut, P. Ruterana, G. Nouet. J. Electron. Mater., 27, 266 (1998)
  13. A. Bere, A. Serra. Interface Sci., 9, 149 (2001)
  14. M. Fehrer, S. Einfeldt, U. Birkle, T. Gollnik, D. Hommel. J. Cryst. Growth, 189/190, 763 (1998)
  15. J. Salzman, C. Uzan-Saguy, R. Kalish, V. Richter, B. Mayler. Appl. Phys. Lett., 76, 1431 (2000)
  16. I. Shalish, L. Kronik, G. Segal, Y. Shapira, S. Zamir, B. Meyer, J. Salzman. Phys. Rev. B, 61, 15 573 (2000)
  17. J.-L. Farvacque, Z. Bougrioua, I. Moerman. Phys. Rev. B, 63, 115 202 (2001)
  18. К.М. Дощанов, С.Х. Шамирзаев. ФТП, 12, 2328 (1978)
  19. W.T. Read. Phil. Mag., 45, 775 (1954)
  20. З.А. Велиев. ФТП, 19, 158 (1985)
  21. В.Б. Шикин, Ю.В. Шикина. УФН, 165, 887 (1995)
  22. J.W. Orton, M.J. Powell. Rep. Progr. Phys., 43, 81 (1980)
  23. L.L. Kazmerski, W.B. Berry, C.W. Allen. J. Appl. Phys., 43, 3515 (1972)
  24. M. Shur, B. Gelmont, M. Asif Khan. J. Electron. Mater., 25, 777 (1996)
  25. Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций (М., Атомиздат, 1972)
  26. З.А. Велиев. ФТП, 18, 1673 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.