Исследовано влияние примесного пробоя на вольт-амперные характеристики 4H-SiC диодов с p-базой в диапазоне температур 77-300 K. Для изготовления экспериментальных образцов использовались коммерческие эпитаксиальные 4H-SiC p⁺-p-n⁺-структуры, выращенные CVD эпитаксией. Сильное электрическое поле в p-базе создавалось при смещении диодов в прямом направлении. Обнаружено, что при температурах 136, 89 и 81 K вслед за обычным "диодным" участком на вольт-амперной характеристике проявляется участок, где ток растет быстрее за счет ударной ионизации вымороженных акцепторных атомов Al, находящихся в основном (невозбужденном) состоянии. При температурах 81 и 77 K вслед за этим участком наблюдается участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением - регенеративное переключение диода за счет ударной ионизации атомов алюминия, находящихся в возбужденном состоянии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.