"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора
Еремеев С.В.1,2, Валишева Н.А.3, Терещенко О.Е.3,4, Кулькова С.Е.1,2
1Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук, Томск, Россия
2Томский государственный университет, Томск, Россия
3Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 21 декабря 2011 г.

На основе расчетов из первых принципов изучена адсорбция кислорода и фтора на реконструированной (2x 2) и нереконструированной (1x 1) поверхностях InAs(111)A. Определены наиболее стабильные позиции адсорбции. Показано, что адсорбция кислорода на обеих поверхностях индуцирует появление состояний в запрещенной зоне. На поверхности InAs(111)A-(2x 2) кислород предпочитает позиции, где он связан как с атомами индия, так и с атомами мышьяка поверхностного слоя, а также ямочную позицию между тремя атомами индия (In-hollow). Адсорбция фтора приводит к выталкиванию поверхностных состояний из запрещенной зоны, при этом фтор предпочитает вершинную позицию над атомами индия (In-top). На поверхности InAs(111)A-(1x1) адсорбция фтора приводит к устранению поверхностного состояния, образованного p-орбиталями индия, и откреплению уровня Ферми.
  • Н.А. Корнюшкин, Н.А. Валишева, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев. ФТП, 30, 914 (1996)
  • R.K. Ahrenkiel, L.L. Kazmenski, O. Jamjoum, P.E. Russel, P.J. Ireland, R.S. Wagner. Thin Sol. Films, 95, 327 (1982)
  • G. Lucovsky, R.S. Bauer. J. Vac. Sci. Technol., 17, 946 (1980)
  • N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodjakina, A.P. Kovchavcev. Appl. Surf. Sci., 256, 5722 (2010)
  • P.R. Varekamp, W.C. Simpson, D.K. Shuh, T.D. Durbin, V. Chakarian, J.A. Yarmoff. Phys. Rev. B, 50, 14 267 (1994)
  • W.C. Simpson, J.A. Yarmoff. Ann. Rev. Phys. Chem., 47, 527 (1996)
  • А.В. Бакулин, С.В. Еремеев, О.Е. Терещенко, С.Е. Кулькова. ФТП, 45, 23 (2011)
  • W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, Berlin, 1993)
  • V.L. Bercovits, N. Witkowski, Y. Borensztein, D. Paget. Phys. Rev. B, 63, 12 314 (2001)
  • A. Taguchi, K. Kanisawa. Appl. Surf. Sci., 252, 5263 (2006)
  • P.E. Blochl. Phys. Rev. B, 50, 17 953 (1994)
  • G. Kresse, J. Joubert. Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
  • G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B, 47, 558 (1993)
  • G. Kresse, J. Furthmuller. Comput. Mater. Sci., 6, 15 (1996)
  • J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996)
  • H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976)
  • А.В. Бакулин, С.В. Еремеев, С.Е. Кулькова. Сб. матер. II Межд. школы-конференции молодых ученых "Физика и химия наноматериалов" (Томск, 2009) с. 13
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.