"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Изменение электронных свойств поверхности InAs(111)A при адсорбции кислорода и фтора
Еремеев С.В.1,2, Валишева Н.А.3, Терещенко О.Е.4,3, Кулькова С.Е.1,2
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

На основе расчетов из первых принципов изучена адсорбция кислорода и фтора на реконструированной (2x 2) и нереконструированной (1x 1) поверхностях InAs(111)A. Определены наиболее стабильные позиции адсорбции. Показано, что адсорбция кислорода на обеих поверхностях индуцирует появление состояний в запрещенной зоне. На поверхности InAs(111)A-(2x 2) кислород предпочитает позиции, где он связан как с атомами индия, так и с атомами мышьяка поверхностного слоя, а также ямочную позицию между тремя атомами индия (In-hollow). Адсорбция фтора приводит к выталкиванию поверхностных состояний из запрещенной зоны, при этом фтор предпочитает вершинную позицию над атомами индия (In-top). На поверхности InAs(111)A-(1x1) адсорбция фтора приводит к устранению поверхностного состояния, образованного p-орбиталями индия, и откреплению уровня Ферми.
  • Н.А. Корнюшкин, Н.А. Валишева, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев. ФТП, 30, 914 (1996)
  • R.K. Ahrenkiel, L.L. Kazmenski, O. Jamjoum, P.E. Russel, P.J. Ireland, R.S. Wagner. Thin Sol. Films, 95, 327 (1982)
  • G. Lucovsky, R.S. Bauer. J. Vac. Sci. Technol., 17, 946 (1980)
  • N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, I.P. Prosvirin, T.A. Levtsova, E.E. Rodjakina, A.P. Kovchavcev. Appl. Surf. Sci., 256, 5722 (2010)
  • P.R. Varekamp, W.C. Simpson, D.K. Shuh, T.D. Durbin, V. Chakarian, J.A. Yarmoff. Phys. Rev. B, 50, 14 267 (1994)
  • W.C. Simpson, J.A. Yarmoff. Ann. Rev. Phys. Chem., 47, 527 (1996)
  • А.В. Бакулин, С.В. Еремеев, О.Е. Терещенко, С.Е. Кулькова. ФТП, 45, 23 (2011)
  • W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, Berlin, 1993)
  • V.L. Bercovits, N. Witkowski, Y. Borensztein, D. Paget. Phys. Rev. B, 63, 12 314 (2001)
  • A. Taguchi, K. Kanisawa. Appl. Surf. Sci., 252, 5263 (2006)
  • P.E. Blochl. Phys. Rev. B, 50, 17 953 (1994)
  • G. Kresse, J. Joubert. Phys. Rev. B, 59, 1758 (1999)
  • G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B, 47, 558 (1993)
  • G. Kresse, J. Furthmuller. Comput. Mater. Sci., 6, 15 (1996)
  • J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996)
  • H.J. Monkhorst, J.D. Pack. Phys. Rev. B, 13, 5188 (1976)
  • А.В. Бакулин, С.В. Еремеев, С.Е. Кулькова. Сб. матер. II Межд. школы-конференции молодых ученых "Физика и химия наноматериалов" (Томск, 2009) с. 13
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.