"Физика и техника полупроводников"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование структуры аморфной полупроводниковой системы As-Se релаксационными методами

Кастро Р.А.¹, Бордовский В.А.¹, Грабко Г.И.¹, Татуревич Т.В.¹

¹Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 24 мая 2011 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты комплексного исследования релаксации темнового тока в длинновременной области МДМ структуры на основе тонкопленочной халькогенидной системы As-Se. Оценены значения параметров, характеризующих электронные процессы, происходящие в приконтактных слоях исследуемых соединений. Обнаружено совпадение природы механизмов проводимости и накопления заряда. Вычислена функция распределения времен релаксации и установлена ее структурная чувствительность к таким технологическим факторам, как изменение стехиометрии состава и способа изготовления экспериментальных образцов.

Н.И. Калмыкова, Т.Ф. Мазец, Э.А. Сморгонская, К.Д. Цэндин. ФТП, 23 (2), 297 (1989)

В.Л. Аверьянов, Б.Т. Коломиец, В.М. Любин, О.Ю. Приходько. Письма ЖТФ, 6, 577 (1980)

Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина. (СПб., Наука, 1996)

Sh.Sh. Sarsembinov, O.Yu. Prikhodko, A.P. Ryaguzov, S.Ya. Maksimova, V.Zh. Ushanov. Semicond. Sci. Technol., 19 (7), 787 (2004)

Г.А. Бордовский, Р.А. Кастро. Изв. РГПУ им. А.И. Герцена, 2 (4), 7 (2002)

С.Н. Мустафаева, С.Д. Мамедбейли, М.М. Асадов, И.А. Мамедбейли, К.М. Ахмедли. ФТП, 30 (12), 2154 (1996)

С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов. ФТТ, 46 (11), 1937 (2004)

Н.И. Анисимова, В.А. Бордовский, Г.И. Грабко, Р.А. Кастро. ФТП, 44 (8), 1038 (2010)

R.A. Castro, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova. J. Non-Cryst. Sol., 352, 1560 (2006)

Р.А. Кастро, В.А. Бордовский, Н.И. Анисимова, Г.И. Грабко. ФТП, 43 (3), 382 (2009)

Б.Л. Тиман. ФТП, 7 (2), 225 (1973)

Б.Л. Тиман, А.П. Карпова. ФТП, 7 (2), 230 (1973)

N. Anisimova, V. Avanesyan, G. Bordovski, R. Castro, A. Nagaytsev. Proc. VIII Int. Symp. Electrets (Paris, 1994) p. 136

В.И. Микла, Д.Г. Семак, И.П. Михалько. Изв. вузов. Сер. физ., N 5, 66 (1977)

Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)

Ш.Ш. Сарсембинов, О.Ю. Приходько, А.П. Рягузов, С.Я. Максимова, В.Ж. Ушанов. Сб. тр. IV Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2004) c. 209

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель