Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование структуры аморфной полупроводниковой системы As-Se релаксационными методами
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 24 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2011 г.
Представлены результаты комплексного исследования релаксации темнового тока в длинновременной области МДМ структуры на основе тонкопленочной халькогенидной системы As-Se. Оценены значения параметров, характеризующих электронные процессы, происходящие в приконтактных слоях исследуемых соединений. Обнаружено совпадение природы механизмов проводимости и накопления заряда. Вычислена функция распределения времен релаксации и установлена ее структурная чувствительность к таким технологическим факторам, как изменение стехиометрии состава и способа изготовления экспериментальных образцов.
- Н.И. Калмыкова, Т.Ф. Мазец, Э.А. Сморгонская, К.Д. Цэндин. ФТП, 23 (2), 297 (1989)
- В.Л. Аверьянов, Б.Т. Коломиец, В.М. Любин, О.Ю. Приходько. Письма ЖТФ, 6, 577 (1980)
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина. (СПб., Наука, 1996)
- Sh.Sh. Sarsembinov, O.Yu. Prikhodko, A.P. Ryaguzov, S.Ya. Maksimova, V.Zh. Ushanov. Semicond. Sci. Technol., 19 (7), 787 (2004)
- Г.А. Бордовский, Р.А. Кастро. Изв. РГПУ им. А.И. Герцена, 2 (4), 7 (2002)
- С.Н. Мустафаева, С.Д. Мамедбейли, М.М. Асадов, И.А. Мамедбейли, К.М. Ахмедли. ФТП, 30 (12), 2154 (1996)
- С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов. ФТТ, 46 (11), 1937 (2004)
- Н.И. Анисимова, В.А. Бордовский, Г.И. Грабко, Р.А. Кастро. ФТП, 44 (8), 1038 (2010)
- R.A. Castro, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova. J. Non-Cryst. Sol., 352, 1560 (2006)
- Р.А. Кастро, В.А. Бордовский, Н.И. Анисимова, Г.И. Грабко. ФТП, 43 (3), 382 (2009)
- Б.Л. Тиман. ФТП, 7 (2), 225 (1973)
- Б.Л. Тиман, А.П. Карпова. ФТП, 7 (2), 230 (1973)
- N. Anisimova, V. Avanesyan, G. Bordovski, R. Castro, A. Nagaytsev. Proc. VIII Int. Symp. Electrets (Paris, 1994) p. 136
- В.И. Микла, Д.Г. Семак, И.П. Михалько. Изв. вузов. Сер. физ., N 5, 66 (1977)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- Ш.Ш. Сарсембинов, О.Ю. Приходько, А.П. Рягузов, С.Я. Максимова, В.Ж. Ушанов. Сб. тр. IV Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2004) c. 209
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
