"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование структуры аморфной полупроводниковой системы As-Se релаксационными методами
Кастро Р.А.1, Бордовский В.А.1, Грабко Г.И.1, Татуревич Т.В.1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 21 ноября 2011 г.

Представлены результаты комплексного исследования релаксации темнового тока в длинновременной области МДМ структуры на основе тонкопленочной халькогенидной системы As-Se. Оценены значения параметров, характеризующих электронные процессы, происходящие в приконтактных слоях исследуемых соединений. Обнаружено совпадение природы механизмов проводимости и накопления заряда. Вычислена функция распределения времен релаксации и установлена ее структурная чувствительность к таким технологическим факторам, как изменение стехиометрии состава и способа изготовления экспериментальных образцов.
  • Н.И. Калмыкова, Т.Ф. Мазец, Э.А. Сморгонская, К.Д. Цэндин. ФТП, 23 (2), 297 (1989)
  • В.Л. Аверьянов, Б.Т. Коломиец, В.М. Любин, О.Ю. Приходько. Письма ЖТФ, 6, 577 (1980)
  • Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина. (СПб., Наука, 1996)
  • Sh.Sh. Sarsembinov, O.Yu. Prikhodko, A.P. Ryaguzov, S.Ya. Maksimova, V.Zh. Ushanov. Semicond. Sci. Technol., 19 (7), 787 (2004)
  • Г.А. Бордовский, Р.А. Кастро. Изв. РГПУ им. А.И. Герцена, 2 (4), 7 (2002)
  • С.Н. Мустафаева, С.Д. Мамедбейли, М.М. Асадов, И.А. Мамедбейли, К.М. Ахмедли. ФТП, 30 (12), 2154 (1996)
  • С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов. ФТТ, 46 (11), 1937 (2004)
  • Н.И. Анисимова, В.А. Бордовский, Г.И. Грабко, Р.А. Кастро. ФТП, 44 (8), 1038 (2010)
  • R.A. Castro, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova. J. Non-Cryst. Sol., 352, 1560 (2006)
  • Р.А. Кастро, В.А. Бордовский, Н.И. Анисимова, Г.И. Грабко. ФТП, 43 (3), 382 (2009)
  • Б.Л. Тиман. ФТП, 7 (2), 225 (1973)
  • Б.Л. Тиман, А.П. Карпова. ФТП, 7 (2), 230 (1973)
  • N. Anisimova, V. Avanesyan, G. Bordovski, R. Castro, A. Nagaytsev. Proc. VIII Int. Symp. Electrets (Paris, 1994) p. 136
  • В.И. Микла, Д.Г. Семак, И.П. Михалько. Изв. вузов. Сер. физ., N 5, 66 (1977)
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  • Ш.Ш. Сарсембинов, О.Ю. Приходько, А.П. Рягузов, С.Я. Максимова, В.Ж. Ушанов. Сб. тр. IV Межд. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2004) c. 209
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.