"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронная микроскопия структур GaAs с квантовыми точками InAs и As
Неведомский В.Н.1, Берт Н.А.1, Чалдышев В.В.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 21 ноября 2011 г.

Проведены электронно-микроскопические исследования структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, содержащих два слоя сопряженных полупроводниковых квантовых точек InAs, заращенных тонким буферным слоем GaAs и слоем низкотемпературного арсенида галлия. При последующем отжиге в слое низкотемпературного GaAs формировался массив нановключений (металлических квантовых точек) As. Изучено изменение микроструктуры образцов в зависимости от температуры и условий отжига. Установлено, что при относительно низких температурах отжига (400-500oС) формирование массива металлических квантовых точек As слабо зависит от наличия полупроводниковых квантовых точек InAs в предшествующих слоях. Металлические квантовые точки As имеют при этом характерный размер около 2-3 нм после отжига при 400oC и 4-5 нм после отжига при 500oС в течение 15 мин. Отжиг при 600oС в течение 15 мин в ростовой установке приводит к укрупнению металлических квантовых точек As до 8-9 нм и формированию групп таких точек в области низкотемпературного GaAs, непосредственно прилегающей к отделенным буферным слоям полупроводниковых квантовых точек InAs. Более длительный отжиг при повышенной температуре (760oС) в атмосфере водорода вызывает дальнейшее увеличение размеров металлических квантовых точек As до 20-25 нм и их пространственное смещение в область между сопряженными полупроводниковыми квантовыми точками InAs.
  • V.M. Shalaev. Nature Photonics, 1, 41 (2007)
  • H.A. Atwater, A. Polman. Nature Materials, 9, 205 (2010)
  • T.D. Ladd, F. Jelezko, R. Laflamme, Y. Nakamura, C. Monroe, J.L. O'Brien. Nature, 464, 45 (2010)
  • Marc Achermann. J. Phys. Chem. Lett., 1, 2837 (2010)
  • M.T. Cheng, S.D. Liu, H.J. Zhou, Z.H. Hao, Q.Q. Wang. Opt. Lett., 32, 2125 (2007)
  • W. Zhang, A.O. Govorov, G.W. Bryant. Phys. Rev. Lett., 97, 146 804 (2006)
  • Beak-Hyun Kim, Chang-Hee Cho, Jin-Soo Mun, Min-Ki Kwon, Tae-Young Park, Jong Su Kim, Clare Chisu Byeon, Jongmin Lee, Seong-Ju Park. Advanced Materials, 20, 3100 (2008)
  • M.L. Andersen, S. Stobbe, A.S. S rensen, P. Lodahl. Nature Physics, 7, 215 (2010)
  • R. Notzel. Semicond. Sci. Technol., 11, 1365 (1996).
  • T.V. Shubina, V.A. Kosobukin, T.A. Komissarova, V.N. Jmerik, A.N. Semenov, B.Ya. Meltser, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov, A. Vasson, J. Leymarie, N.A. Gippius, T. Araki, T. Akagi, Y. Nanishi. Phys. Rev. B, 79, 153 105 (2009)
  • M.T. Cheng, S.D. Liu, H.J. Zhou, Z.H. Hao, Q.Q. Wang. Opt. Lett., 32, 2125 (2007)
  • В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 43, 1662 (2009)
  • N.A. Cherkashin, A. Claverie, C. Bonafos, V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. J. Appl. Phys., 102, 023 520 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.