Проведены электронно-микроскопические исследования структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, содержащих два слоя сопряженных полупроводниковых квантовых точек InAs, заращенных тонким буферным слоем GaAs и слоем низкотемпературного арсенида галлия. При последующем отжиге в слое низкотемпературного GaAs формировался массив нановключений (металлических квантовых точек) As. Изучено изменение микроструктуры образцов в зависимости от температуры и условий отжига. Установлено, что при относительно низких температурах отжига (400-500^oС) формирование массива металлических квантовых точек As слабо зависит от наличия полупроводниковых квантовых точек InAs в предшествующих слоях. Металлические квантовые точки As имеют при этом характерный размер около 2-3 нм после отжига при 400^oC и 4-5 нм после отжига при 500^oС в течение 15 мин. Отжиг при 600^oС в течение 15 мин в ростовой установке приводит к укрупнению металлических квантовых точек As до 8-9 нм и формированию групп таких точек в области низкотемпературного GaAs, непосредственно прилегающей к отделенным буферным слоям полупроводниковых квантовых точек InAs. Более длительный отжиг при повышенной температуре (760^oС) в атмосфере водорода вызывает дальнейшее увеличение размеров металлических квантовых точек As до 20-25 нм и их пространственное смещение в область между сопряженными полупроводниковыми квантовыми точками InAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.