"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сравнение гомоэпитаксиального роста кристаллов AIN на Al- и N-поверхностях
Вольфсон А.А.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2011 г.

С помощью специальной экспериментальной методики, позволяющей исключить влияние различий источников, кристаллов-подложек и параметров ростового процесса, проведено корректное сравнение качества гомоэпитаксиальных слоев AlN, выращенных методом сублимации на Al- и N-поверхностях кристалла-подложки, имеющего ориентацию < 0001>. Установлено, что в большинстве случаев качество слоев, выращенных на N-поверхности несколько выше, однако в отдельных случаях никакого различия не наблюдалось. Отсюда можно заключить, что окно параметров ростового процесса для N-стороны существенно больше, чем для Al-стороны.
  • B.M. Epelbaum, C. Seitz, A. Magerl, M. Bickermann, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 265, 577 (2004)
  • Z.G. Herro, D. Zhuang, R. Schlesser, R. Collazo, Z. Sitar. J. Cryst. Growth, 286, 205 (2006)
  • E.N. Mokhov, O.V. Avdeev, I.S. Barash, T.Yu. Chemekova, A.D. Roenkov, A.S. Segal, A.A. Wolfson, Yu.N. Makarov, M.G. Ramm, H. Helava. J. Cryst. Growth, 281, 93 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.